Матюшевский Анатолий Петрович
Композиция для получения твердых планарных источников бора при изготовлении изделий микроэлектроники
Номер патента: 15733
Опубликовано: 30.04.2012
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Дудкин Александр Иванович
МПК: H01L 21/02
Метки: источников, изготовлении, бора, композиция, изделий, получения, микроэлектроники, твердых, планарных
Текст:
...менее 1,4 мас.затрудняется процесс нанесения пасты на кремниевую подложку из-за ее растекания, что приводит к снижению качества и выхода годных ТПИБ. При содержании аэросила в композиции более 2,4 мас.также снижается качество и выход годных ТПИБ вследствие повышенной густоты композиции, затрудняющей равномерное заполнение ею отверстий в трафарете при изготовлении ТПИБ. Тетраэтоксисилан - прозрачная бесцветная жидкость со специфическим...
Способ изготовления твердых планарных источников бора при создании полупроводниковых приборов и интегральных схем
Номер патента: 15732
Опубликовано: 30.04.2012
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Дудкин Александр Иванович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Матюшевский Анатолий Петрович
МПК: H01L 21/02
Метки: изготовления, схем, интегральных, способ, твердых, приборов, планарных, источников, бора, полупроводниковых, создании
Текст:
...процесс создания диффузанта из-за недостаточного связывания оксида бора и аэросила продуктами гидролиза тетраэтоксисилана, что также обусловливает плохое качество и низкий выход годных ТПИБ. Сушка пластин с нанесенным диффузантом на воздухе производится с целью перевода диффузанта из пастообразного в твердое состояние за счет испарения спирта и воды из водно-спиртового раствора ТЭОС. Первый этап термообработки при температуре...
Способ диффузии акцепторных примесей в кремниевые пластины для изготовления силовых полупроводниковых приборов
Номер патента: 14380
Опубликовано: 30.06.2011
Авторы: Шильцев Владимир Викторович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Становский Владимир Владимирович, Матюшевский Анатолий Петрович
МПК: H01L 21/02
Метки: приборов, изготовления, примесей, силовых, кремниевые, способ, диффузии, полупроводниковых, пластины, акцепторных
Текст:
...деструкции, удаление слоя легированных алюминием пленок вне областей последующей диффузии, загрузку кремниевых пластин для диффузии в реактор, нагретый до температуры ниже температуры диффузии, в держателе-лодочке, установленных параллельно друг другу, перпендикулярно потоку газов, нагрев до температуры диффузии и термообработку при этой температуре, снижение температуры до температуры загрузки и выгрузку, маскирующий слой оксида кремния...
Высоковольтный биполярный транзистор
Номер патента: 12019
Опубликовано: 30.06.2009
Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Голубев Николай Федорович
МПК: H01L 29/66, H01L 21/02
Метки: транзистор, высоковольтный, биполярный
Текст:
...до 0,2 мкм позволяет улучшить защитные свойства пассивирующего покрытия и компенсировать механические напряжения, возникающие на границе нитрид кремния - слой легкоплавкого стекла из-за разности их термических коэффициентов линейного расширения. В совокупности это обеспечивает дополнительное повышение выхода годных ВБТ. При толщине слоя нитрида кремния менее 0,05 мкм улучшение защитных свойств не достигается и компенсации механических...
Способ диффузии акцепторных примесей в кремниевые пластины для изготовления силовых полупроводниковых приборов
Номер патента: 10881
Опубликовано: 30.08.2008
Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Шильцев Владимир Викторович, Турцевич Аркадий Степанович, Кресло Сергей Михайлович
МПК: H01L 21/02
Метки: кремниевые, пластины, диффузии, приборов, акцепторных, способ, примесей, силовых, изготовления, полупроводниковых
Текст:
...глубина диффузии примеси при постоянной температуре пропорциональна корню квадратному от времени процесса. Удаление слоя легированных пленок вне областей последующей диффузии двухсторонней фотолитографией производится для исключения паразитной диффузии акцепторных примесей в тех областях кремниевой пластины,где этого не требуется. Создание микронеровностей поверхности со средней шероховатостью 0,3-1,0 мкм и глубиной нарушенного слоя 2,0-8,0...
Способ диффузии бора из твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Номер патента: 10529
Опубликовано: 30.04.2008
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Матюшевский Анатолий Петрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович
МПК: H01L 21/02
Метки: полупроводниковых, способ, диффузии, изготовлении, интегральных, твердых, источников, бора, микросхем, приборов
Текст:
...на ней кремниевыми пластинами и ТИБ до первоначального уровня температуры в потоке азота с кислородом также обусловливает интенсивноеокисление поверхности кремниевых пластин, сопровождающееся обеднением бором приповерхностной области кремниевых пластин, приводящим К увеличению разброса поверхностного сопротивления и снижению выхода годных. Кроме того, отсутствие кварцевого экрана и в данном способе приводит к разбросу поверхностного...
Способ изготовления твердых планарных источников бора при создании полупроводниковых приборов и интегральных схем
Номер патента: 10429
Опубликовано: 30.04.2008
Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович
МПК: H01L 21/02
Метки: создании, планарных, полупроводниковых, изготовления, способ, бора, источников, твердых, приборов, схем, интегральных
Текст:
...активация источников бора.При содержании оксида бора в композиции менее 32,0 мас. снижается срок службы ТПИБ. При содержании оксида бора в композиции более 36 мас. затрудняется процесс создания ТПИБ и снижается их качество.Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и...
Твердый планарный источник диффузии бора для изготовления интегральных схем и полупроводниковых приборов
Номер патента: 9818
Опубликовано: 30.10.2007
Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Шильцев Владимир Викторович, Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович
МПК: H01L 21/02
Метки: твердый, диффузии, бора, планарный, интегральных, источник, изготовления, приборов, схем, полупроводниковых
Текст:
...не требуется специальная регенерация источников. Оксид кремния - аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 520 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддерживанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого планарного источника бора. При содержании оксида бора менее 60 мас.снижается масса...
Мощный биполярный транзистор, устойчивый к обратному вторичному пробою
Номер патента: 4014
Опубликовано: 30.09.2001
Авторы: Рубцевич Иван Иванович, Голубев Николай Федорович, Дударчик Анатолий Иванович, Матюшевский Анатолий Петрович, Ануфриев Леонид Петрович
МПК: H01L 29/72
Метки: пробою, мощный, устойчивый, биполярный, транзистор, обратному, вторичному
Текст:
...первого типа, базовую область с проводимостью второго типа, противоположного первому, примыкающую к коллекторной области с образованием - перехода база-коллектор, эмиттерную область с проводимостью первого типа, примыкающую к базовой области с образованием - перехода база-эмиттер, коллекторная область, примыкающая к планарной поверхности кристалла и базовой области, дополнительно легирована примесью первого типа проводимости на глубину,...