Патенты с меткой «gaas-элемента»
Способ создания термочувствительного GaAs-элемента
Номер патента: 11192
Опубликовано: 30.10.2008
Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович
МПК: H01L 21/02, C30B 33/00, C30B 29/10...
Метки: термочувствительного, способ, gaas-элемента, создания
Текст:
...основных носителей заряда и их подвижность будут снижаться, что приведет к снижению электропроводности исходного материала. Начальная скорость удаления носителей для электронов с энергиями 2,5 и 10 МэВ составляет соответственно 5 и 9 см-1. Согласно модели радиационных нарушений полупроводников,степень заполнения ловушек, т. е. изменение концентрации носителей, зависит от положения уровня Ферми по отношению к уровню дефекта, которое...