Ширипов Владимир Яковлевич

Номер патента: 3078

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Ширипов Владимир Яковлевич, Достанко Анатолий Павлович, Телеш Евгений Владимирович

МПК: G01N 15/08, H01L 21/66

Метки: контроля, подложках, полупроводников, способ, ашвv, пористости, покрытий

Текст:

...испарения полупроводника, из которого изготовлена подложка. Это необходимо для того, чтобы создать давление,достаточное для вспучивания пленки. Нагрев при температуре меньшей, чем температура свободного конгруэнтного испарения, не обеспечивает значительной скорости испарения компонентов полупроводника и уменьшает экспрессность способа. Превышение температуры плавления над температурой испарения более чем в 1,1 раза нецелесообразно, т.к....

Номер патента: 2936

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Ширипов Владимир Яковлевич, Емельянов Виктор Андреевич, Федосенко Николай Николаевич, Федосенко Геннадий Николаевич

МПК: C30B 29/04, C30B 23/02, C23C 14/28...

Метки: пленки, получения, алмазоподобной, способ

Текст:

...на фиг. 1 - вакуумная установка для нанесения алмазоподобной пленки лазерным способом фиг. 2 - спектр электронного парамагнитного резонанса алмазоподобной пленки, полученной заявляемым способом фиг. 3 - спектр комбинационного рассеяния света алмазоподобной пленки, полученной заявляемым способом фиг. 4 - спектр комбинационного рассеяния аморфной графитоподобной пленки фиг. 5 - спектр комбинационного рассеяния аморфной углеродной пленки....