Патенты с меткой «полупроводниковая»

Номер патента: 16227

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Петлицкий Александр Николаевич, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/322

Метки: пластина, полупроводниковая, кремниевая

Текст:

...пленке а- препятствуют эпитаксиальной рекристаллизации поли- и способствуют уменьшению размеров его зерен. В результате суммарная площадь межзеренных границ, определяющая эффективность геттерирования, возрастает. Использование промежуточного слоя - в составе заявляемой пластины позволяет увеличить толщину исходного слоя оксида кремния до 2,5 нм, что обеспечивает возможность проведения ее химической отмывки в процессе изготовления, делает...

Номер патента: 15744

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322

Метки: пластина, кремниевая, полупроводниковая

Текст:

...оксид титана или тантала легко растворяется в силициде, в результате чего барьер для диффузии неконтролируемых примесей в область геттера в виде оксидной пленки исчезает. Эти силициды создают наименьшие механические напряжения в получаемой пластине. Кроме этого, рассматриваемые силициды образуют самоформирующиеся слои. Это значит, что они не растворяются во всем объеме полупроводниковой подложки,а существуют только в виде локализованного...

Номер патента: 15754

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: кремниевая, полупроводниковая, ориентации, пластина, 001

Текст:

...второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов),глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения, генерируемых некоторым выбранным вновь образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности...

Номер патента: 15746

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: пластина, полупроводниковая, 001, кремниевая, ориентации

Текст:

...различного размера и фрактальный характер их взаимного расположения обеспечивает одновременное наличие дефектов различного размера или уровня. Эти уровни существуют не независимо друг от друга, а активно взаимодействуют друг с другом с образованием новых элементов дислокационной структуры за счет явления самоформирования. Их взаимодействие обусловлено, с одной стороны, взаимодействием полей механических напряжений, а с другой стороны, тем, что...

Номер патента: 15741

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: ориентации, 001, полупроводниковая, пластина, кремниевая

Текст:

...от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей островков пленки по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и удаление центральной части) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных окон и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. С каждым новым этапом...

Номер патента: 15740

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: 001, кремниевая, полупроводниковая, ориентации, пластина

Текст:

...(т.е. первичных элементов), глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения, генерируемых некоторым выбранным вновь образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется...

Номер патента: 15468

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: полупроводниковая, ориентации, пластина, кремниевая, 111

Текст:

...нитрида кремния на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элементов, площадь основания которых в 42 раза меньше по отношению к первичному тетраэдру и т.д. Высота тетраэдров каждый раз уменьшается в 2 раза. При этом вершины тетраэдров одного уров 5 15468 1...

Номер патента: 15467

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: 111, кремниевая, пластина, полупроводниковая, ориентации

Текст:

...с основанием, совпадающим с первичным элементом пленки нитрида кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элементов, площадь основания которых в 42 раза меньше по отношению к...

Номер патента: 15359

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: пластина, полупроводниковая, кремниевая, 111, ориентации

Текст:

...1 ) и (01 1 ) под действием термомеханических напряжений в области дефектов на торце пластины, скользят по направлению к центру пластины. На своем пути они встречают дислокации, генерируемые контролируемыми нарушениями и расположенные в плоскостях (110), (11 1 ), (101), (1 1 1),(011), ( 1 11) , и блокируются ими с образованием дислокационных полупетель, закрепленных одним концом на торце пластины, а другим - на обратной стороне пластины....

Номер патента: 15358

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: кремниевая, пластина, ориентации, 001, полупроводниковая

Текст:

...пути встречают дислокации, расположенные в одной из плоскостей (101), (10 1 ) , (011) и (0 1 1) , и блокируются ими с образованием дислокационных полупетель, закрепленных одним концом на торце пластины, а другим - на обратной стороне пластины. Скольжение дислокаций переходит в другую кристаллографическую плоскость, рост линии скольжения прекращается. В итоге рабочая поверхность пластины сохраняет высокое первоначальное качество. На поверхности...

Номер патента: 15260

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: кремниевая, 111, ориентации, пластина, полупроводниковая

Текст:

...гранями тетраэдров,основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения (110), находятся на одинаковой высоте и лежат в плоскости...

Номер патента: 15305

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: 111, кремниевая, пластина, ориентации, полупроводниковая

Текст:

...в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения 110, находятся на одинаковой высоте и лежат в плоскости (111). Это приводит к самоформированию вторичных тетраэдров,...

Номер патента: U 6967

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 23/00

Метки: пластина, полупроводниковая, кремниевая

Текст:

...между 2 и - с образованием высокоподвижных функциональных групп -ОН. Эти группы диффундируют вглубь - и далее в поли-, что приводит к уменьшению толщины 2 от 25 до нескольких ангстрем. Слой 2 толщиной несколько ангстрем, как и в случае прототипа, уже не является 3 69672011.02.28 препятствием для диффузии неконтролируемых примесей из объема кремниевой подложки в поликристаллическую пленку. Наличие групп - в объеме пленок - и...

Номер патента: U 6965

Опубликовано: 28.02.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 23/00

Метки: полупроводниковая, кремниевая, пластина

Текст:

...силицида титана или тантала обусловлен следующими факторами. Эти силициды характеризуются высокой адгезией к поверхности кремниевой подложки, в том числе окисленной. В процессе формирования геттера они взаимодействуют с оксидом кремния, образовавшимся на поверхности подложки в результате хранения или химической отмывки, и восстанавливают его до кремния. Образовавшийся оксид титана или тантала легко растворяется в силициде,в результате чего...

Номер патента: U 6677

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: 001, кремниевая, пластина, полупроводниковая, ориентации

Текст:

...образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность таких вновь образованных окон можно рассматривать как новый, второй уровень элементов, который приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникнове 5 66772010.10.30 ния, определяемой размерами соответствующих им...

Номер патента: U 6676

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: кремниевая, полупроводниковая, 001, пластина, ориентации

Текст:

...к данному элементу приводит к возникновению нового элемента (окна в случае выбора в качестве первичного элемента островка и, соответственно, островка в случае выбора окна) с размером стороны, равным 1/3. При этом образуется новый, второй, уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако поскольку линейные...

Номер патента: U 6675

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: кремниевая, пластина, ориентации, полупроводниковая, 001

Текст:

...При этом образуется новый, второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ 34-2. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако, поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов), глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается....

Номер патента: U 6674

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: пластина, кремниевая, полупроводниковая, 001, ориентации

Текст:

...новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако, поскольку линейные размеры окна в 3 раза меньше размеров островка, глубина проникновения генерируемых им дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения, генерируемых вновь образованным элементом(окном), также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь...

Номер патента: U 6343

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: ориентации, пластина, кремниевая, 111, полупроводниковая

Текст:

...меньше по отношению к первичному тетраэдру и т.д. Высота тетраэдров каждый раз уменьшается в 2 раза. При этом вершины тетраэдров одного уровня находятся на одной и той же высоте и лежат в плоскости (111), которая также является плоскостью скольжения, что приводит к образованию нового элемента дислокационной структуры - октаэдра. Его можно рассматривать также как фигуру, образованную в результате пересечения двух тетраэдров. Основание первого...

Номер патента: U 6339

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/00

Метки: ориентации, полупроводниковая, 111, кремниевая, пластина

Текст:

...на дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное вписывание элементов двух типов - окон и островков приводит к тому, что конечная структура состоит только из элементов минимального размера, элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере...

Номер патента: U 6338

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/00

Метки: пластина, кремниевая, ориентации, 111, полупроводниковая

Текст:

...состоит только из элементов минимального размера, элементы бльших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере эффективности. Совокупность плоскостей скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным...

Номер патента: U 6337

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/00

Метки: 111, полупроводниковая, кремниевая, пластина, ориентации

Текст:

...тетраэдров одного уровня находятся на одной и той же высоте и лежат в плоскости (111), которая также является плоскостью скольжения, что приводит к образованию нового элемента дислокационной структуры - октаэдра. Его можно рассматривать так же,как фигуру, образованную в результате пересечения двух тетраэдров. Основание первого 5 63372010.06.30 тетраэдра совпадает с первичным элементом в пленке нитрида кремния. Основание второго тетраэдра лежит...

Номер патента: U 6166

Опубликовано: 30.04.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/00

Метки: ориентации, пластина, 111, полупроводниковая, кремниевая

Текст:

...моменты перпендикулярны линиям нарушений. Эти плоскости наклонены к поверхности пластины и пересекаются на некотором расстоянии от ее поверхности опять-таки в плоскости( 1 1 1 ) (или в плоскости (111), что то же самое), которая также является плоскостью скольжения. Пересечение рассматриваемых плоскостей скольжения приводит к блокированию дислокаций, скользящих в пересекающихся плоскостях с образованием дислокационных полупетель, закрепленных...

Номер патента: U 6148

Опубликовано: 30.04.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/00

Метки: пластина, 001, полупроводниковая, кремниевая, ориентации

Текст:

...процесса генерации дислокаций в плоскостях (101), (1 0 1 ), (011) и ( 0 1 1 ), которые наклонены к поверхности под углом 45. Генерация дислокаций именно в этих плоскостях в данном случае энергетически наиболее выгодна и обусловлена тем, что возникающие от механических нарушений изгибающие моменты перпендикулярны линиям нарушений. Плоскости (101) и ( 1 0 1 ), (011) и ( 0 1 1 ) попарно перпендикулярны друг другу,поэтому генерируемые в...

Номер патента: U 1188

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: H01L 21/302

Метки: кремниевая, полупроводниковая, пластина

Текст:

...10 1 или 01 1 , являющихся наиболее выгодными направлениями с точки зрения хрупкого разрушения кремния. Каждому из этих направлений абразивного воздействия соответствуют два возможных перпендикулярных им и взаимно противоположных направления подачи инструмента. В связи с тем, что три направления абразивного воздействия абсолютно идентичны, рассмотрим одно из них, а именно направление 1 1 0. При абразивном воздействии в направлении 1 1 0...