Патенты с меткой «биполярный»
Высоковольтный биполярный транзистор
Номер патента: 12019
Опубликовано: 30.06.2009
Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Голубев Николай Федорович, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: H01L 29/66, H01L 21/02
Метки: высоковольтный, транзистор, биполярный
Текст:
...до 0,2 мкм позволяет улучшить защитные свойства пассивирующего покрытия и компенсировать механические напряжения, возникающие на границе нитрид кремния - слой легкоплавкого стекла из-за разности их термических коэффициентов линейного расширения. В совокупности это обеспечивает дополнительное повышение выхода годных ВБТ. При толщине слоя нитрида кремния менее 0,05 мкм улучшение защитных свойств не достигается и компенсации механических...
Мощный биполярный транзистор
Номер патента: 6250
Опубликовано: 30.06.2004
Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Рубцевич Иван Иванович, Голубев Николай Федорович
МПК: H01L 29/73
Метки: транзистор, мощный, биполярный
Текст:
...к области базы сформированы в центре каждого окнаячейки (13) через окна в маске диэлектрического материала (8) и соединены полосовыми металлическими шинами (9) с общей металлической шиной (11) базы, омические контакты (7) к области эмиттера выполнены дискретно через окна в маске диэлектрического материала (8) в точках, одинаково удаленных от ближайших омических контактов (6) к области базы, и соединены полосовыми металлическими шинами (10) с...
Мощный биполярный транзистор, устойчивый к обратному вторичному пробою
Номер патента: 4014
Опубликовано: 30.09.2001
Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Голубев Николай Федорович, Рубцевич Иван Иванович, Ануфриев Леонид Петрович, Дударчик Анатолий Иванович
МПК: H01L 29/72
Метки: обратному, устойчивый, мощный, вторичному, пробою, биполярный, транзистор
Текст:
...первого типа, базовую область с проводимостью второго типа, противоположного первому, примыкающую к коллекторной области с образованием - перехода база-коллектор, эмиттерную область с проводимостью первого типа, примыкающую к базовой области с образованием - перехода база-эмиттер, коллекторная область, примыкающая к планарной поверхности кристалла и базовой области, дополнительно легирована примесью первого типа проводимости на глубину,...