H01L 21/235 — H01L 21/235

Номер патента: 4235

Опубликовано: 30.12.2001

Авторы: КИНЗЕР, Дэниел М.

МПК: H01L 21/235, H01L 29/772

Метки: изготовления, полевого, полупроводникового, моп-прибора, способ

Текст:

...в качестве теневой маски. На фиг. 13 изображена структура, показанная на фиг. 12, на которой проведены последующее удаление фоторезиста и металлизация структуры с выполнением усовершенствованной операции нанесения покрытия. На фиг. 14 изображено усовершенствование способа, при котором после операции, показанной на фиг. 3,формируют и -имплантант и Р-имплантант через отверстия, сформированные первой маской. На фиг. 15 изображена структура,...