Патенты с меткой «подложках»
Способ формирования пленок бинарных полупроводниковых соединений групп AІІBVІ или AІVBVІ на подложках из монокристаллического кремния
Номер патента: 17212
Опубликовано: 30.06.2013
Авторы: Чубенко Евгений Борисович, Бондаренко Виталий Парфирович, Клышко Алексей Александрович
МПК: H01L 21/02, C25D 9/08, C30B 29/10...
Метки: или, полупроводниковых, пленок, соединений, способ, подложках, монокристаллического, aііbvі, бинарных, кремния, формирования, групп, aіvbvі
Текст:
...Для улучшения равномерности осаждения и повышения планарности пленок полупроводниковых соединений на пористый кремний методом катодного электрохимического осаждения может быть нанесен тонкий слой металла толщиной 0,01-0,5 мкм. Наличие тонкого слоя металла на поверхности пористого кремния приводит к повышению эквипотенциальности и равномерности распределения катодного тока в процессе осаждения. В качестве таких металлов могут быть...
Способ контроля пористости покрытий на подложках из полупроводников АшВv
Номер патента: 3078
Опубликовано: 30.12.1999
Авторы: Ширипов Владимир Яковлевич, Телеш Евгений Владимирович, Достанко Анатолий Павлович
МПК: H01L 21/66, G01N 15/08
Метки: ашвv, способ, пористости, контроля, подложках, покрытий, полупроводников
Текст:
...испарения полупроводника, из которого изготовлена подложка. Это необходимо для того, чтобы создать давление,достаточное для вспучивания пленки. Нагрев при температуре меньшей, чем температура свободного конгруэнтного испарения, не обеспечивает значительной скорости испарения компонентов полупроводника и уменьшает экспрессность способа. Превышение температуры плавления над температурой испарения более чем в 1,1 раза нецелесообразно, т.к....