H01L 29/78 — с полевым эффектом, создаваемым при помощи изолированного затвора

Номер патента: 4476

Опубликовано: 30.06.2002

Авторы: Кречко Михаил Михайлович, Дударчик Анатолий Иванович, Ануфриев Леонид Петрович, Рубцевич Иван Иванович, Алиев Алигаджи Магомедович

МПК: H01L 21/265, H01L 29/78

Метки: дмоп-транзистора, изготовления, способ, высоковольтного, мощного

Текст:

...структуры транзисторной ячейки после формирования на поверхности кремниевой подложки 1-го типа проводимости 1 подзатворного диэлектрика 2, нанесения слоя поликристаллического кремния 3, на фиг. 2 - после формирования в нем рисунка затвора нанесением слоя фоторезиста, созданием фоторезистивной маски, травлением слоя поликристаллического кремния и расположенного под ним подзатворного диэлектрика, удалением фоторезистивной маски,на фиг. 3 -...

Номер патента: 4024

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Рубцевич Иван Иванович, Ануфриев Леонид Петрович, Кречко Михаил Михайлович, Дударчик Анатолий Иванович, Алиев Алигаджи Магомедович

МПК: H01L 29/78, H01L 21/425

Метки: изготовления, мощного, способ, высоковольтного, дмоп-транзистора

Текст:

...выигрыша в уменьшении перекрытия затвором р-, -областей при использовании предлагаемого способа изготовления. На фиг. 3 показаны диффузионные профили рканала, -истока рабочей ячейки ДМОП-транзистора в момент после разгонки -истоков при различной величине подтрава поликремния под маску фоторезиста пунктирной - по предлагаемому способу для величины подтрава поликремния Х 0,5 мкм (верхней границы выбранного интервала) штрих-пунктирной - по...

Номер патента: 4025

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Рубцевич Иван Иванович, Дударчик Анатолий Иванович, Алиев Алигаджи Магомедович

МПК: H01L 21/331, H01L 29/78

Метки: способ, дмоп-транзистора, мощного, изготовления, высоковольтного

Текст:

...кремния, формирование канальных областей ионным легированием бором и разгонкой бора, формирование -истоковых областей, нанесение межслойного окисла, формирование областей контактов к затвору и истокам, создание металлизации, перед нанесением межслойного 2 4025 1 окисла проводят отжиг и окисление -истоковых областей до толщины окисла, составляющей 13 толщины подзатворного окисла. Сопоставительный анализ предполагаемого изобретения с...