Патенты с меткой «арсенида»
Материал для магнитных рефрижераторов на основе монокристаллов арсенида марганца
Номер патента: 16493
Опубликовано: 30.10.2012
Авторы: Митюк Виктор Иосифович, Говор Геннадий Антонович, Рыжковский Владимир Михайлович
МПК: C01G 45/00, C30B 29/10, H01F 1/01...
Метки: арсенида, марганца, основе, рефрижераторов, магнитных, монокристаллов, материал
Текст:
...фазового состава были измерены дифрактограммы визлучении на порошковых образцах. Анализ дифрактограмм показал, что образцы являются однофазными. Предварительная ориентация кристаллов, заключающаяся в определении осей легкого и трудного намагничивания, производилась в магнитном поле. После предварительного ориентирования монокристаллов в магнитном поле плоскости легкого и трудного намагничивания выводились рентгеновским методом с точностью в...
Пассивирующее покрытие для подложек из арсенида галлия
Номер патента: 5561
Опубликовано: 30.09.2003
Авторы: Телеш Евгений Владимирович, Малькевич Владимир Эдуардович, Юрченок Лариса Григорьевна, Достанко Анатолий Павлович
МПК: H01L 21/316
Метки: пассивирующее, арсенида, подложек, галлия, покрытие
Текст:
...взаимной диффузии между элементами, входящими в состав слоев. Пассивирующее покрытие функционирует следующим образом. Нижний слой 1 из оксидированного арсенида галлия обеспечивает высокую стабильность и низкий уровень, а верхний слой 3 из оксидированного арсенида галлия - требуемое значение электрической прочности. Толщина верхнего слоя составляет 0,1-0,8 мкм, а нижнего - обычно 0,005-0,006 мкм. Для верхнего слоя она определяется...
Маска для ионного легирования арсенида галлия
Номер патента: 5321
Опубликовано: 30.06.2003
Авторы: Телеш Евгений Владимирович, Достанко Анатолий Павлович
МПК: H01L 21/266
Метки: галлия, ионного, арсенида, легирования, маска
Текст:
...сквозь него и внедряются в подложку из арсенида галлия 1. В процессе ионной имплантации к слою 2 подсоединяется заземление, что обеспечивает эффективное снятие положительного заряда и, соответственно, получение резких границ легированных областей. Кроме того, наличие защитного слоя 2 позволяет осуществлять внедрение ионов при температурах до 400-500 С, что будет способствовать формированию профиля залегания примеси, близкому к Гауссову, без...