Патенты с меткой «галлия»
Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою нитрида галлия p-GaN
Номер патента: 15439
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Новицкий Николай Николаевич, Пашкевич Михаил Викторович, Труханов Алексей Валентинович, Стогний Александр Иванович
МПК: H01L 33/00, B82B 3/00, H01L 21/02...
Метки: прозрачного, контакта, галлия, способ, изготовления, слою, p-gan, омического, нитрида, эпитаксиальному
Текст:
..., причем сначала наносят первый слой омического контактатолщиной 3 нм с собственной проводимостью -типа, затем слой золота толщиной 4 нм, а потом на полученную двухслойную контактную структуру наносят второй слойтолщиной не менее 3 нм и в результате формируют контактную структуру ///-. Новым, по мнению авторов, является то, что перед нанесением первого слоятолщиной 3 нм на слой - наносят слой аморфного нитрида галлия толщиной не менее...
Пассивирующее покрытие для подложек из арсенида галлия
Номер патента: 5561
Опубликовано: 30.09.2003
Авторы: Телеш Евгений Владимирович, Юрченок Лариса Григорьевна, Достанко Анатолий Павлович, Малькевич Владимир Эдуардович
МПК: H01L 21/316
Метки: подложек, покрытие, галлия, арсенида, пассивирующее
Текст:
...взаимной диффузии между элементами, входящими в состав слоев. Пассивирующее покрытие функционирует следующим образом. Нижний слой 1 из оксидированного арсенида галлия обеспечивает высокую стабильность и низкий уровень, а верхний слой 3 из оксидированного арсенида галлия - требуемое значение электрической прочности. Толщина верхнего слоя составляет 0,1-0,8 мкм, а нижнего - обычно 0,005-0,006 мкм. Для верхнего слоя она определяется...
Маска для ионного легирования арсенида галлия
Номер патента: 5321
Опубликовано: 30.06.2003
Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Телеш Евгений Владимирович
МПК: H01L 21/266
Метки: арсенида, ионного, маска, легирования, галлия
Текст:
...сквозь него и внедряются в подложку из арсенида галлия 1. В процессе ионной имплантации к слою 2 подсоединяется заземление, что обеспечивает эффективное снятие положительного заряда и, соответственно, получение резких границ легированных областей. Кроме того, наличие защитного слоя 2 позволяет осуществлять внедрение ионов при температурах до 400-500 С, что будет способствовать формированию профиля залегания примеси, близкому к Гауссову, без...