Бордодынов Александр Петрович

Номер патента: 3700

Опубликовано: 30.12.2000

Авторы: Юшкевич Геннадий Иосифович, Бордодынов Александр Петрович

МПК: H01L 21/308

Метки: схем, способ, интегральных, изготовления, полупроводниковых

Текст:

...слое вне областей вскрытия окон в защитном проводящем и изолирующем слоях. Таким образом, второй проводящий слой формируется не только на защитном проводящем слое и на полупроводниковом слое (во вскрытых контактных окнах), а и на тонком изолирующем слое во вскрытых во время дополнительной фотолитографии окнах. Введение дополнительной операции позволит обеспечить гарантированно надежное соединение элементов металлической разводки с...