Патенты с меткой «обратному»
Мощный биполярный транзистор, устойчивый к обратному вторичному пробою
Номер патента: 4014
Опубликовано: 30.09.2001
Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Рубцевич Иван Иванович, Дударчик Анатолий Иванович, Голубев Николай Федорович, Ануфриев Леонид Петрович
МПК: H01L 29/72
Метки: пробою, транзистор, устойчивый, вторичному, биполярный, мощный, обратному
Текст:
...первого типа, базовую область с проводимостью второго типа, противоположного первому, примыкающую к коллекторной области с образованием - перехода база-коллектор, эмиттерную область с проводимостью первого типа, примыкающую к базовой области с образованием - перехода база-эмиттер, коллекторная область, примыкающая к планарной поверхности кристалла и базовой области, дополнительно легирована примесью первого типа проводимости на глубину,...