G01N 15/08 — определение проницаемости, пористости или поверхностной площади пористых материалов
Прибор для определения водонепроницаемости материалов методом гидростатического давления
Номер патента: U 10690
Опубликовано: 30.06.2015
Авторы: Панкевич Дарья Константиновна, Борозна Вилия Дмитриевна, Петрова Радмила Святославовна, Буркин Александр Николаевич
МПК: G01N 15/08
Метки: методом, материалов, водонепроницаемости, гидростатического, определения, прибор, давления
Формула / Реферат:
Прибор для определения водонепроницаемости материалов методом гидростатического давления, состоящий из манометра, зажимного устройства, узла подачи и поддержания давления, отличающийся тем, что он снабжен устройством светозвуковой индикации проникания воПрибор для определения водонепроницаемости материалов методом гидростатического давления, состоящий из манометра, зажимного устройства, узла подачи и поддержания давления, отличающийся тем, что...
Способ определения фактической площади контакта пористого и компактного материалов
Номер патента: 15531
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Александров Валерий Михайлович, Маркова Людмила Владимировна, Шкурдюк Петр Алексеевич
МПК: G01N 1/32, G01N 15/08
Метки: способ, контакта, площади, определения, фактической, материалов, пористого, компактного
Текст:
...способа. Поставленная задача достигается тем, что в заявляемом способе определения фактической площади контакта пористого и компактного материалов, в котором спекают подложку из компактного материала с пластиной из пористого материала, изготавливают шлиф, после чего его поверхность со стороны компактной подложки обрабатывают травителем до момента выявления на ней границ, очерчивающих площади контакта частиц пористого материала с компактным,...
Прибор для определения водопоглощения образца строительного материала
Номер патента: 11533
Опубликовано: 28.02.2009
Авторы: Подлозный Эдуард Дмитриевич, Воронова Наталья Петровна, Щепочкина Юлия Алексеевна, Березовский Сергей Николаевич, Добриян Георгий Константинович, Березовский Николай Иванович
МПК: G01N 15/08
Метки: материала, образца, строительного, определения, водопоглощения, прибор
Текст:
...крепления исследуемого образца 2, напорный резервуар (не показан), сообщающийся с сосудом 1 для жидкости посредством трубопровода 3 с запорным устройством 4, датчик 5 температуры. Прибор снабжен опорной площадкой 6 для установки исследуемого образца 2, закрепленной на валу 7 с возможностью ее поворота и фиксации под углом к горизонтали. Сосуд 1 для жидкости выполнен в виде мерного цилиндра, открытый торец 8 которого контактирует с...
Прибор для определения водопоглощения строительных материалов
Номер патента: U 3880
Опубликовано: 30.10.2007
Авторы: Подлозный Эдуард Дмитриевич, Щепочкина Юлия Алексеевна, Воронова Наталья Петровна, Березовский Сергей Николаевич, Добриян Георгий Константинович, Березовский Николай Иванович
МПК: G01N 15/08
Метки: строительных, водопоглощения, материалов, прибор, определения
Текст:
...исследуемого образца 2, напорный резервуар (не показан), сообщающийся с сосудом 1 для жидкости посредством трубопровода 3 с запорным устройством 4, датчик 5 температуры. Прибор снабжен опорной площадкой 6 для установки исследуемого образца 2, закрепленной на валу 7 с возможностью ее поворота и фиксации под углом к горизон 2 38802007.10.30 тали. Сосуд 1 для жидкости выполнен в виде мерного цилиндра, открытый торец 8 которого контактирует с...
Способ контроля пористости покрытий на подложках из полупроводников АшВv
Номер патента: 3078
Опубликовано: 30.12.1999
Авторы: Телеш Евгений Владимирович, Ширипов Владимир Яковлевич, Достанко Анатолий Павлович
МПК: G01N 15/08, H01L 21/66
Метки: способ, полупроводников, подложках, контроля, пористости, покрытий, ашвv
Текст:
...испарения полупроводника, из которого изготовлена подложка. Это необходимо для того, чтобы создать давление,достаточное для вспучивания пленки. Нагрев при температуре меньшей, чем температура свободного конгруэнтного испарения, не обеспечивает значительной скорости испарения компонентов полупроводника и уменьшает экспрессность способа. Превышение температуры плавления над температурой испарения более чем в 1,1 раза нецелесообразно, т.к....