Телеш Евгений Владимирович

Номер патента: 14627

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Телеш Евгений Владимирович, Гурский Леонид Ильич, Каланда Николай Александрович

МПК: H01F 10/10, C23C 14/46, C23C 14/08...

Метки: ферромолибдата, способ, стронция, пленок, тонких, получения

Текст:

...пленку 26- на подогреваемую монокристаллическую подложку 3 с ориентацией (001). Новым, по мнению авторов, является то, что для напыления пленок использовали двухлучевой ионный источник, формирующий два независимых ионных пучка, один из которых служит для распыления материала мишени, а второй - для предварительной ионной очистки подложки и мишени, причем напыление пленок ферромолибдата стронция осуществляют в средеионами аргона с одновременной...

Номер патента: 14404

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Беляева Ада Казимировна, Баранов Валентин Владимирович, Телеш Евгений Владимирович, Паращук Валентин Владимирович, Рябцев Геннадий Иванович

МПК: H01L 21/02, H01L 33/00, H01S 3/04...

Метки: лазерных, основания, способ, алмазного, структур, теплоотводящего, диодных, изготовления

Текст:

...и температуре. Кристаллы вырезались по плоской сетке куба усеченного октаэдра и имели размеры 1,51,50,3 мм. Полировкаосуществлялась с доведением шероховатости поверхности до значений 2,8-12,8 нм. Использовались и природные алмазные образцы, а также поликристалличе 3 14404 1 2011.06.30 ские синтетические алмазные основания, выращенные модифицированным -методом(, напыление путем химической газотранспортной реакции), с размерами 122,50,3 мм, а...

Номер патента: 13076

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Лугинец Александр Михайлович, Волчик Татьяна Владимировна, Гурский Леонид Ильич, Колесова Ирина Михайловна, Кравцов Андрей Валерьевич, Гурецкий Сергей Арсеньевич, Телеш Евгений Владимирович

МПК: C30B 9/00, C30B 29/10

Метки: способ, замещенного, железо-иттриевого, висмут, получения, граната

Текст:

...в течение 20-50 часов и охлаждением до температуры 920-980 С, затем на вырезанные по плоскости (111) монокристаллические пластины железо-иттриевого граната напыляют висмут и осуществляют диффузионный отжиг при температуре 650 С и давлении кислорода 105 Па в течение 50 часов. Сущность изобретения заключается в использовании экологически чистого, химически неагрессивного к платиновой технологической оснастке, термодинамически устойчивого к...

Номер патента: 12462

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Гесь Александр Петрович, Волчик Татьяна Владимировна, Климза Алексей Антонович, Каланда Николай Александрович, Телеш Евгений Владимирович, Гурский Леонид Ильич

МПК: C30B 19/00, C30B 29/10

Метки: монокристаллических, пленок, способ, феррита, железо-иттриевого, висмутзамещенного, граната, получения

Текст:

...неустойчивости раствора-расплава присутствие свинца в растворе расплаве приводит к снижению прозрачности монокристаллических пленок феррита граната в видимом диапазоне, а высокая химическая агрессивность свинецсодержащего раствора-расплава к технологической оснастке является причиной необходимости использования платиновых тиглей и соответственно потери дорогостоящего металла при их коррозии. Задачей настоящего изобретения является...

Номер патента: 5561

Опубликовано: 30.09.2003

Авторы: Малькевич Владимир Эдуардович, Достанко Анатолий Павлович, Телеш Евгений Владимирович, Юрченок Лариса Григорьевна

МПК: H01L 21/316

Метки: галлия, подложек, покрытие, пассивирующее, арсенида

Текст:

...взаимной диффузии между элементами, входящими в состав слоев. Пассивирующее покрытие функционирует следующим образом. Нижний слой 1 из оксидированного арсенида галлия обеспечивает высокую стабильность и низкий уровень, а верхний слой 3 из оксидированного арсенида галлия - требуемое значение электрической прочности. Толщина верхнего слоя составляет 0,1-0,8 мкм, а нижнего - обычно 0,005-0,006 мкм. Для верхнего слоя она определяется...

Номер патента: 5321

Опубликовано: 30.06.2003

Авторы: Телеш Евгений Владимирович, Достанко Анатолий Павлович

МПК: H01L 21/266

Метки: маска, арсенида, галлия, ионного, легирования

Текст:

...сквозь него и внедряются в подложку из арсенида галлия 1. В процессе ионной имплантации к слою 2 подсоединяется заземление, что обеспечивает эффективное снятие положительного заряда и, соответственно, получение резких границ легированных областей. Кроме того, наличие защитного слоя 2 позволяет осуществлять внедрение ионов при температурах до 400-500 С, что будет способствовать формированию профиля залегания примеси, близкому к Гауссову, без...

Номер патента: 3078

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Ширипов Владимир Яковлевич, Телеш Евгений Владимирович, Достанко Анатолий Павлович

МПК: H01L 21/66, G01N 15/08

Метки: ашвv, подложках, пористости, полупроводников, покрытий, способ, контроля

Текст:

...испарения полупроводника, из которого изготовлена подложка. Это необходимо для того, чтобы создать давление,достаточное для вспучивания пленки. Нагрев при температуре меньшей, чем температура свободного конгруэнтного испарения, не обеспечивает значительной скорости испарения компонентов полупроводника и уменьшает экспрессность способа. Превышение температуры плавления над температурой испарения более чем в 1,1 раза нецелесообразно, т.к....

Номер патента: 3033

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Улитенок Олег Анатольевич, Юрченок Лариса Григорьевна, Телеш Евгений Владимирович

МПК: H01L 31/10, H01L 31/08

Метки: мпм-фотодиод

Текст:

...диэлектрическое покрытие 3 встречно-штыревые электроды с количеством штырей от 3 до 3000 шт. 4 воздушный зазор 8 диэлектрическое покрытие 9 металлические выводы 5 падающее оптическое излучение 6 граница раздела диэлектрическое покрытие - поверхностный слой 7. МПМ-фотодиод работает следующим образом. Поступающее на МПМ-фотодиод оптическое излучение 6 проходит просветляющее диэлектрическое покрытие 3, 9 и поверхностно-легированный слой 2...