Ухов Виктор Анатольевич
Способ измерения глубины нарушенного слоя на поверхности кремниевой полупроводниковой пластины
Номер патента: 5907
Опубликовано: 30.03.2004
Авторы: Чигирь Григорий Григорьевич, Ухов Виктор Анатольевич, Пеньков Анатолий Петрович, Ануфриев Леонид Петрович
МПК: H01L 21/66
Метки: полупроводниковой, способ, кремниевой, глубины, пластины, поверхности, слоя, нарушенного, измерения
Текст:
...слои,что приводит к дополнительному дефектообразованию и увеличению нарушенного слоя. При использовании углов падения пучка ионов в диапазоне 10-45 увеличения нарушенного слоя и формирования микрорельефа на поверхности кремниевой пластины не наблюдается при выборе пучка ионов с атомным номером менее 7 (легкие ионы) наблюдается внедрение падающих ионов в поверхностные слои, что приводит к дополнительному дефектообразованию и увеличению...