Патенты с меткой «вторичному»
Мощный биполярный транзистор, устойчивый к обратному вторичному пробою
Номер патента: 4014
Опубликовано: 30.09.2001
Авторы: Дударчик Анатолий Иванович, Ануфриев Леонид Петрович, Рубцевич Иван Иванович, Голубев Николай Федорович, Матюшевский Анатолий Петрович
МПК: H01L 29/72
Метки: биполярный, вторичному, пробою, мощный, обратному, устойчивый, транзистор
Текст:
...первого типа, базовую область с проводимостью второго типа, противоположного первому, примыкающую к коллекторной области с образованием - перехода база-коллектор, эмиттерную область с проводимостью первого типа, примыкающую к базовой области с образованием - перехода база-эмиттер, коллекторная область, примыкающая к планарной поверхности кристалла и базовой области, дополнительно легирована примесью первого типа проводимости на глубину,...