Патенты с меткой «ионной»

Номер патента: 17632

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Суворов Анатолий Николаевич, Андреев Михаил Анатольевич, Макаревич Евгений Петрович

МПК: C23C 14/48

Метки: конденсацией, нанесения, ионной, бомбардировкой, покрытия, устройство, вещества, вакууме

Текст:

...слоя на начальной стадии процесса нанесения покрытий в значительной мере определяет свойства и структуру покрытий в целом. Задачей изобретения является улучшение качества получаемых покрытий. Поставленная задача решается за счет того, что в устройстве для нанесения покрытия конденсацией вещества в вакууме с ионной бомбардировкой, содержащем являющуюся анодной вакуумную камеру, в которой расположены электродуговой испаритель,...

Номер патента: U 8230

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Макаревич Евгений Петрович, Андреев Михаил Анатольевич, Суворов Анатолий Николаевич

МПК: C23C 13/00

Метки: вещества, ионной, вакууме, бомбардировкой, устройство, нанесения, покрытий, конденсацией

Текст:

...и может достигать десятков процентов. Капли металла, конденсируясь на обрабатываемое изделие, имеют низкую прочность сцепления, т.к. их скорость невелика, а диффузионные процессы недостаточно эффективны. Вместе с тем формирование слоя на начальной стадии процесса нанесения покрытий в значительной мере определяет свойства и структуру покрытий в целом. Задачей полезной модели является улучшение качества получаемых покрытий. 2 82302012.06.30...

Номер патента: 9323

Опубликовано: 30.06.2007

Автор: Киселев Владимир Иосифович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/265, H01L 21/66...

Метки: способ, имплантации, ионной, четырехзондовой, дозиметрии

Текст:

...концентрация основных носителей заряда о(х) постоянна по глубине х резистивного слоя 1 или модуль ее приведенного безразмерного градиента/1 при любом х, на точности косвенного измерения дозы по калибровочной кривой может негативно сказаться технологическая неоднородность / толщины выращенного резистивного слоя 1 в различных точках его поверхности. В случае о(х), известное выражение для ПС легированных полупроводниковых слоев 5 т.е....

Номер патента: 4853

Опубликовано: 30.12.2002

Автор: Киселев Владимир Иосифович

МПК: H01L 21/66

Метки: способ, имплантации, оптической, ионной, дозиметрии

Текст:

...калибровочные функции известного способа, взятого за прототип, для ионов мышьяка с энергией Е 50 кэВ (кривая 1) и фосфора с энергией Е 80 кэВ (кривая 2) при длине волны зондирующего излучения 632,8 нм. На фиг. 2 - зависимости показателя преломления нелегированного поликремния (кривая 3) и монокристаллического кремния (кривая 4) от длины волны зондирующего излучения. На фиг. 3 - зависимости коэффициента поглощения нелегированного...

Номер патента: 936

Опубликовано: 15.12.1995

Авторы: Дитер Мангольд, Бригитте Гамбке

МПК: G01N 33/48

Метки: ионной, мочи, или, реагент, плотности, определения, силы

Текст:

...образуется пленка реактива. . . Реагентможно также наносить с помощью пленкообразуаоъцих и способных к набуханию добавок на основу. например. непосредственно на испытательную полоску. Реактив может содержать, далее. обычные добавки. такие например. как стабилизаторы. смачивающие средства или средства. вызывающие набухаНИЗ. Смешивание мочи с реагентом осуществляется таким образом. каким это являетсяцелесообразным для выбранной для...