Патенты с меткой «устойчивый»
Штамм бифидобактерий Bifidobacterium adolescentis, устойчивый к низким значениям pH, для получения пробиотического препарата или кисломолочного продукта
Номер патента: 16449
Опубликовано: 30.10.2012
Авторы: Сидоренко Анастасия Вячеславовна, Новик Галина Ивановна
МПК: C12N 1/20, A23C 9/12, A61K 35/74...
Метки: бифидобактерий, низким, штамм, получения, adolescentis, пробиотического, продукта, bifidobacterium, или, препарата, значениям, кисломолочного, устойчивый
Текст:
...протеолитических ферментов - 216,26.1 ед/мл. Активность ассоциированной с клеткой В-галактозидазы варьируется от 0,2650,021 ед/мл (при выращивании в среде с глюкозой) до 0,4720,027 ед/мл (при выращивании в среде с лактозой). ШтаммБИМ В-462-Д характеризуется более высокими, по сравнению со штаммом-прототипом, коэффициентами гидрофобности и способности клеток к аутоагрегации (табл. 1). Таблица 1 Характеристика гидрофобности и способности к...
Замок, устойчивый к открыванию отмычкой
Номер патента: 10910
Опубликовано: 30.08.2008
Авторы: АЛМОЗНИНО, Рами
МПК: E05B 27/00
Метки: отмычкой, замок, открыванию, устойчивый
Текст:
...зацеплению головки 352 внутреннего штифта 330 с буртиком 353 внешнего штифта 324. Таким образом, как видно на фиг. 3 С, когда место стыка соответствующих поверхностей 348 и 349 штифтов 324 и 344, в обычном состоянии соприкасающихся друг с другом,поднимается до линии 399 раздела между корпусом 310 и цилиндром 314, внутренний штифт 330 перекрывает эту линию 399, предотвращая открывание замка. Более того, как видно на фиг. 3 С, дальнейшее...
Мощный биполярный транзистор, устойчивый к обратному вторичному пробою
Номер патента: 4014
Опубликовано: 30.09.2001
Авторы: Рубцевич Иван Иванович, Ануфриев Леонид Петрович, Голубев Николай Федорович, Матюшевский Анатолий Петрович, Дударчик Анатолий Иванович
МПК: H01L 29/72
Метки: биполярный, вторичному, транзистор, мощный, устойчивый, обратному, пробою
Текст:
...первого типа, базовую область с проводимостью второго типа, противоположного первому, примыкающую к коллекторной области с образованием - перехода база-коллектор, эмиттерную область с проводимостью первого типа, примыкающую к базовой области с образованием - перехода база-эмиттер, коллекторная область, примыкающая к планарной поверхности кристалла и базовой области, дополнительно легирована примесью первого типа проводимости на глубину,...