Патенты с меткой «транзистор»
Полевой транзистор с плавающим затвором
Номер патента: U 9208
Опубликовано: 30.06.2013
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Трусов Виктор Леонидович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Алиева Наталья Васильевна
МПК: H01L 29/788
Метки: полевой, затвором, плавающим, транзистор
Текст:
...вовсе не присущи 6. Несмотря на небольшое различие в значении коэффициентов линейного термического расширения (клтр) 34 и кремния (3,410-6 -1 для 34 5 и 3,7210-6 -1 для 6), использование высоких температур при изготовлении ИС и отсутствие полиморфных превращений 34 приводят к возникновению высоких механических напряжений на границах раздела слоев. В связи с этим заявляемое техническое решение предусматривает использование тонких...
Высоковольтный МОП транзистор с изолированным истоком
Номер патента: U 8247
Опубликовано: 30.06.2012
Авторы: Дудар Наталия Леонидовна, Леонов Николай Иванович, Гетьман Сергей Николаевич, Лемешевская Алла Михайловна
МПК: H01L 29/06
Метки: транзистор, моп, истоком, высоковольтный, изолированным
Текст:
...область противоположного типа проводимости, например дрейфовую область. Однако дрейфовая область в высоковольтном транзисторе имеет низкую концентрацию примеси, что ведет к образованию паразитного МОП транзистора и образованию утечки между областью базы и подложкой. Для предотвращения утечки между областью базы высоковольтного МОП транзистора и подложкой необходимо запереть паразитный МОП транзистор, подав на затвор паразитного...
Полевой транзистор
Номер патента: U 7484
Опубликовано: 30.08.2011
Автор: Тамков Николай Леонтьевич
МПК: G06F 1/20, G05D 23/30
Метки: полевой, транзистор
Текст:
...элементы затвора выполнены отдельно на каждой стороне или соединены сквозным токопроводящим материалом в каждую пару для группы полосок истока и стока. Для экономичного размещения полевых транзисторов на полупроводниковой подложке элемент затвора выполнен вертикальным по отношению к поверхности полупроводниковой подложки и пропущенным через сквозное отверстие этой подложки, а полоски истока и стока расположены на поверхности подложки...
Высоковольтный биполярный транзистор
Номер патента: 12019
Опубликовано: 30.06.2009
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Голубев Николай Федорович, Матюшевский Анатолий Петрович, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: H01L 21/02, H01L 29/66
Метки: биполярный, высоковольтный, транзистор
Текст:
...до 0,2 мкм позволяет улучшить защитные свойства пассивирующего покрытия и компенсировать механические напряжения, возникающие на границе нитрид кремния - слой легкоплавкого стекла из-за разности их термических коэффициентов линейного расширения. В совокупности это обеспечивает дополнительное повышение выхода годных ВБТ. При толщине слоя нитрида кремния менее 0,05 мкм улучшение защитных свойств не достигается и компенсации механических...
Мощный биполярный транзистор
Номер патента: 6250
Опубликовано: 30.06.2004
Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Рубцевич Иван Иванович, Голубев Николай Федорович
МПК: H01L 29/73
Метки: транзистор, биполярный, мощный
Текст:
...к области базы сформированы в центре каждого окнаячейки (13) через окна в маске диэлектрического материала (8) и соединены полосовыми металлическими шинами (9) с общей металлической шиной (11) базы, омические контакты (7) к области эмиттера выполнены дискретно через окна в маске диэлектрического материала (8) в точках, одинаково удаленных от ближайших омических контактов (6) к области базы, и соединены полосовыми металлическими шинами (10) с...
Мощный биполярный транзистор, устойчивый к обратному вторичному пробою
Номер патента: 4014
Опубликовано: 30.09.2001
Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Дударчик Анатолий Иванович, Рубцевич Иван Иванович, Ануфриев Леонид Петрович, Голубев Николай Федорович
МПК: H01L 29/72
Метки: транзистор, пробою, мощный, вторичному, обратному, биполярный, устойчивый
Текст:
...первого типа, базовую область с проводимостью второго типа, противоположного первому, примыкающую к коллекторной области с образованием - перехода база-коллектор, эмиттерную область с проводимостью первого типа, примыкающую к базовой области с образованием - перехода база-эмиттер, коллекторная область, примыкающая к планарной поверхности кристалла и базовой области, дополнительно легирована примесью первого типа проводимости на глубину,...