Кречко Михаил Михайлович
Способ изготовления мощного высоковольтного ДМОП-транзистора
Номер патента: 4476
Опубликовано: 30.06.2002
Авторы: Рубцевич Иван Иванович, Кречко Михаил Михайлович, Дударчик Анатолий Иванович, Ануфриев Леонид Петрович, Алиев Алигаджи Магомедович
МПК: H01L 21/265, H01L 29/78
Метки: высоковольтного, способ, мощного, изготовления, дмоп-транзистора
Текст:
...структуры транзисторной ячейки после формирования на поверхности кремниевой подложки 1-го типа проводимости 1 подзатворного диэлектрика 2, нанесения слоя поликристаллического кремния 3, на фиг. 2 - после формирования в нем рисунка затвора нанесением слоя фоторезиста, созданием фоторезистивной маски, травлением слоя поликристаллического кремния и расположенного под ним подзатворного диэлектрика, удалением фоторезистивной маски,на фиг. 3 -...
Способ изготовления мощного высоковольтного ДМОП-транзистора
Номер патента: 4024
Опубликовано: 30.09.2001
Авторы: Рубцевич Иван Иванович, Кречко Михаил Михайлович, Алиев Алигаджи Магомедович, Ануфриев Леонид Петрович, Дударчик Анатолий Иванович
МПК: H01L 21/425, H01L 29/78
Метки: высоковольтного, изготовления, дмоп-транзистора, способ, мощного
Текст:
...выигрыша в уменьшении перекрытия затвором р-, -областей при использовании предлагаемого способа изготовления. На фиг. 3 показаны диффузионные профили рканала, -истока рабочей ячейки ДМОП-транзистора в момент после разгонки -истоков при различной величине подтрава поликремния под маску фоторезиста пунктирной - по предлагаемому способу для величины подтрава поликремния Х 0,5 мкм (верхней границы выбранного интервала) штрих-пунктирной - по...