Лойко Галина Ивановна

Номер патента: 4669

Опубликовано: 30.09.2002

Авторы: Лойко Галина Ивановна, Корытько Дмитрий Константинович, Савостьянова Наталья Александровна, Закроева Нина Михайловна

МПК: H01L 33/00

Метки: изготовления, светоизлучающего, способ, диода

Текст:

...структура после утонения пластины до 110 мкм и формирования омического контакта - к подложке. На фиг. 7 представлена структура после травления подложки через маски разнотолщинных резистов. На фиг. 8 представлена структура после формирования линзы. Пример осуществления способа. Для изготовления СИД в качестве полупроводникового материала используют п- подложку, на которой методом жидкофазной эпитаксии выращены п- буферный слой толщиной 5 мкм,...