Патенты с меткой «подложек»

Номер патента: U 2409

Опубликовано: 28.02.2006

Авторы: Буйницкая Анна Васильевна, Шевляков Виталий Васильевич, Селезнев Евгений Анатольевич

МПК: A61J 1/05

Метки: мазками, устройство, подложек, влажных, условиях, клеточными, суспензиями, крови, инкубации, или, vitro

Текст:

...длительную инкубацию, в том числе в термостате, одновременно многих клеточных мазков (капель) в горизонтальном положении на любых видах подложек (предметные стекла, пластины, счетные или микрокамеры) в стандартных влажных условиях без риска нарушения морфофункциональных свойств клеток в мазке. Поставленная задача достигается следующим образом. Предложено устройство для инкубации во влажных условияхподложек с мазками крови или...

Номер патента: 6461

Опубликовано: 30.09.2004

Авторы: Сокол Виталий Александрович, Игнашев Евгений Петрович

МПК: C25D 11/02

Метки: устройство, подложек, методом, получения, диэлектрических, анодирования

Текст:

...Решение поставленной задачи достигается тем, что устройство для получения диэлектрических подложек методом анодирования, содержащее ванну с рубашкой для охлаждения электролита, катод, пластинодержатели и источник электрического тока, отличается тем, что содержит карусель, выполненную с валом и коромыслами, при этом на конце каждого коромысла установлен поворотный узел пластинодержателей, выполненный в виде цилиндрической пары, наружный...

Номер патента: 5561

Опубликовано: 30.09.2003

Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Малькевич Владимир Эдуардович, Телеш Евгений Владимирович, Юрченок Лариса Григорьевна

МПК: H01L 21/316

Метки: арсенида, покрытие, подложек, галлия, пассивирующее

Текст:

...взаимной диффузии между элементами, входящими в состав слоев. Пассивирующее покрытие функционирует следующим образом. Нижний слой 1 из оксидированного арсенида галлия обеспечивает высокую стабильность и низкий уровень, а верхний слой 3 из оксидированного арсенида галлия - требуемое значение электрической прочности. Толщина верхнего слоя составляет 0,1-0,8 мкм, а нижнего - обычно 0,005-0,006 мкм. Для верхнего слоя она определяется...

Номер патента: 4441

Опубликовано: 30.06.2002

Авторы: Муравский Анатолий Александрович, Коновалов Виктор Алексеевич, Яковенко Сергей Евгеньевич, Минько Анатолий Антонович

МПК: G02F 1/13, H01L 21/02

Метки: подложек, планаризирующее, покрытие, способ, изготовления

Текст:

...изображения требуется задавать толщинужидкокристаллического слоя, исходя из определенной величины соотношения /, в которое входят двулучепреломлениежидкого кристалла и длина волны 3. Для каждой длины волны это соотношение задает свое оптимальное значение толщины жидкокристаллического слоя. Соответственно, выравнивая неровности рельефа по предлагаемому изобретению можно одновременно задавать в области каждого цветного фильтра такую толщину...