H01C 7/02 — имеющие положительный температурный коэффициент
Терморезистор
Номер патента: U 9242
Опубликовано: 30.06.2013
Авторы: Шут Виктор Николаевич, Ильющенко Дмитрий Александрович
МПК: H01C 7/02
Метки: терморезистор
Текст:
...чувствительный элемент, выполненный из полупроводниковой керамики на основе титаната бария, и двухслойные омические контакты, сформированные из подслоя, контактирующего с поверхностью термочувствительного элемента, и основного электрода, нанесенного на подслой, в соответствии с полезной моделью подслой выполнен из материала, не смачиваемого припоем, а основной электрод нанесен в центре подслоя в виде круга и по площади меньше...
Позистор
Номер патента: U 8064
Опубликовано: 30.04.2012
Авторы: Шут Виктор Николаевич, Мозжаров Сергей Евгеньевич, Ильющенко Дмитрий Александрович
МПК: H01C 7/02
Метки: позистор
Текст:
...который содержит терморезистивный чувствительный элемент, выполненный из полупроводниковой керамики на основе титаната бария и снабженный внешними металлическими электродами, в соответствии с полезной моделью терморезистивный чувствительный элемент выполнен в виде тела вращения,представляющего собой объединение цилиндра и двух усеченных конусов, большие основания которых совпадают с основаниями цилиндра, а на меньшие основания...
Позистор
Номер патента: U 5661
Опубликовано: 30.10.2009
Авторы: Гаврилов Алексей Викторович, Шут Виктор Николаевич, Мозжаров Сергей Евгеньевич
МПК: H01C 7/02
Метки: позистор
Текст:
...керамики на основе титаната бария, снабженной внешними металлическими электродами, в соответствии с полезной моделью, терморезистивный чувствительный элемент выполнен как минимум трехслойным с нечетным количеством слоев, при этом каждый приэлектродный слой выполнен из керамического материала с более высокими удельным сопротивлением и температурой Кюри, чем центральный слой. Сопоставительный анализ предлагаемого позистора с прототипом...
Шихта полупроводникового керамического материала для терморезисторов и способ получения материала из нее
Номер патента: 8201
Опубликовано: 30.06.2006
Авторы: Демчук Инна Николаевна, Костомаров Сергей Владимирович, Филипповская Нина Петровна
МПК: H01C 7/02, C04B 35/468
Метки: терморезисторов, полупроводникового, шихта, нее, керамического, получения, материала, способ
Текст:
...10001080 с получением титаната кальция, предварительное смешивание и помол сухим способом титанатов бария и кальция, оксида свинца,диоксида титана и диоксида кремния в вибрационной или шаровой мельнице мелющими телами на основе двуокиси циркония до размера частиц менее 1,2мкм, смешивание компонентов шихты в среде водного раствора карбоната или бикарбоната аммония в шаровой 2 8201 1 2006.06.30 мельнице мелющими шарами из полимерного материала,...
Шихта керамического резистивного материала для позисторов и способ получения материала из нее
Номер патента: 8200
Опубликовано: 30.06.2006
Авторы: Костомаров Сергей Владимирович, Ильющенко Дмитрий Александрович
МПК: H01C 7/02, C04B 35/468
Метки: нее, керамического, способ, материала, шихта, резистивного, получения, позисторов
Текст:
...шихта керамического резистивного материала для позисторов и способ получения материала из нее позволяет устранить недостатки известных материалов и способов аналогичного назначения и обеспечивает достижение более высокого технического результата, заключающегося в повышении качества, повторяемости и стабильности параметров и снижении трудоемкости процесса получения материала путем исключения необходимости предварительного синтеза, сопутствующих...
Блок позисторов для защиты абонентских линий АТС
Номер патента: U 1203
Опубликовано: 30.12.2003
Авторы: Борзов Виктор Кузьмич, Ильющенко Дмитрий Александрович
МПК: H01C 7/02
Метки: атс, блок, линий, абонентских, защиты, позисторов
Текст:
...и возможностью установки на печатных платах. Задача решена тем, что блок позисторов для защиты АТС, включающий корпус, два позистора, содержит четыре выводных контакта и электроизоляционную прокладку. Сущность полезной модели поясняется чертежом фигуры, на котором показан блок позисторов для защиты АТС в разрезе, где 1 - пластмассовый корпус, 2 - позисторы, 3 - диэлектрическая прокладка, 4 - выводные контакты. Заявляемый блок состоит из...
Терморезистор
Номер патента: 3154
Опубликовано: 30.12.1999
Авторы: Казакова Людмила Михайловна, Демчук Инна Николаевна
МПК: H01C 7/02, H01L 23/522
Метки: терморезистор
Текст:
...титана или титаната бария и двухслойные омические контакты, сформированные из адгезионного подслоя, контактирующего с поверхностью термочувствительного элемента, и основного электрода из вожженного серебра, нанесенного на подслой, технический результат обеспечивается тем, что адгезионный подслой выполнен из вожженного алюминия толщиной 10-20 мкм, а основной электрод - толщиной 4-8 мкм. В данном случае повышение механической прочности...