Силин Анатолий Васильевич

Номер патента: 8720

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Прибыльский Александр Васильевич, Силин Анатолий Васильевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H03K 19/088

Метки: состояниями, тремя, повторения, функцией, устройство, выхода, буферное

Текст:

...прохождение сигнала через элемент 17.При подаче на управляющий вход 14 сигнала низкого уровня, а на управляющий вход 8 сигнала высокого уровм 55 НЯ В ЗЗКРЫТОЕ СОСТОЯНИЕ ПЕРЕХОДЯТ транзистор 8 (через пиоп 13), транЭИСТОРЫ 1 оъ 2 (через элемент задерж 35на базе транзистора 1ки 21), транзистор 5 (через транзистор 6). При этом выходные транзисторы 10 н 5 не отдают и не принимают ток,т.е. устройство находитсяв высоком импедансном третьем...

Номер патента: 4988

Опубликовано: 30.03.2003

Авторы: Пономарь Владимир Николаевич, Силин Анатолий Васильевич, Шведов Сергей Васильевич, Усов Геннадий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Лемешевская Алла Михайловна

МПК: H01L 29/06

Метки: выходного, статического, электричества, схемы, моп, элемент, защиты, интегральной, транзистора

Текст:

...к области коллектора. Элемент защиты выходного МОП транзистора интегральной схемы от воздействия статического электричества содержит биполярный транзистор 1, совмещенный с выходным МОП транзистором, и они выполнены в виде симметричной структуры. Структура элемента защиты содержит области эмиттера 2, коллектора 3 (совмещен со стоком), базового контакта 4. Область истока 5 расположена в центре структуры и ограничена с двух сторон областью...

Номер патента: 2817

Опубликовано: 30.06.1999

Авторы: Кавриго Николай Федорович, Пономарь Владимир Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович, Силин Анатолий Васильевич

МПК: H01L 23/053

Метки: схема, интегральная

Текст:

...Коэффициент теплового расширения материала прокладки 7 превышает коэффициент теплового расширения кристалла 3 не более, чем на 20 . Прокладка 7 (фиг. 2) выполнена в форме прямоугольной пластины, и содержит сквозные отверстия 8 переменного сечения, расположенные большим сечением в сторону основания 1, центры которых отстоят друг от друга на расстоянии а (фиг. 2) вдоль сторон прокладки, где а 1,0-1,2 мм,2 диаметр большего сечения отверстия 8...

Номер патента: 2096

Опубликовано: 30.03.1998

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Попов Юрий Петрович, Силин Анатолий Васильевич, Горовой Владимир Владимирович

МПК: H03K 19/088

Метки: устройство, согласования

Текст:

...диод 15, вкпюченны 45 в направлен к входу 2 устройства. Устройство согласования работает.-Пусть в исходном состоянии на вкод 2 устройства поданннэкий уровень напряжения и устройство находится в зад крытом состоянии. При подаче на вход 2 напряжения высокого уровня величи на напряжения набазе транзистора 1(3 итторе транзистора 12) и базе транзистора 12 повьшается и по достижении величин, равной 21 Е, начинается процесс их одновременногоотпира...

Номер патента: 2094

Опубликовано: 30.03.1998

Авторы: Силин Анатолий Васильевич, Горовой Владимир Владимирович, Медведев Виктор Иванович

МПК: H03K 19/088

Метки: устройство, логическое

Текст:

...трлн истор 9 закрыт. На входе 10 ЭПеМеэ, плмяти истаива30, ливается высокий уровень Напряжения,транзистор 18 при этом токе закрыт, а через диод 20 в базу транзистора14 протекает ток, определяемый резистором 7 и обеспечивающн открытое состояние транзистора 1 д на коллекторе которого устанавливается низкий уровень напряжения, Попадаюши на вход 15 элемента памяти 11.При подаче на вход 3 высокого уровня напряжения П, 2,4 В на базе транзистора 6...

Номер патента: 2093

Опубликовано: 30.03.1998

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Силин Анатолий Васильевич, Горовой Владимир Владимирович

МПК: H03K 3/286

Метки: rs-триггер

Текст:

...17, можно обеспечить требуемую высокую НЕТРУаочную способность триггера, не изменяя мощности потребления и нагрузочной способности собственно бистабильной ячейки хранения на транзисторахПри переходе триггера в режим хранения и подаче на вход 13 высокого уровнянапрядения диод 11 закрывается и ток, протекающий через резисторы 7 и 20, попадает в базу транзистора 8 через открытый транзистор А,напряжение на коллекторе которогок 4 кэнч Пвэз...

Номер патента: 2092

Опубликовано: 30.03.1998

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Горовой Владимир Владимирович, Силин Анатолий Васильевич

МПК: H01L 27/08

Метки: схема, интегральная

Текст:

...аналогично известному решению резистором 4 и уменьшается до значения 7Чае - прямое падение напряжения перехода база-эмиттер транзистора 1.Таки образом, при подаче на управляющий вход 3 генератора 2 тока высокого уровня сигнала на его выходе 7 появляется имульс тока повышенной величинывтехающий в базы переклчатепьиого транзистора 1 и обеспе чиваюци его форсированое отпираниеи уменьшение времени задержки вклш-2 чения. При подаче на вход 3...

Номер патента: 1916

Опубликовано: 30.12.1997

Авторы: Горовой Владимир Владимирович, Чернуха Борис Николаевич, Силин Анатолий Васильевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H03K 3/286

Метки: устройство, памяти

Текст:

...транзисторов 5, 8, диодов 21, 22, входов 6, 9, начинают разряжаться через резисторы 10 и 7. Однако, поскольку транзистор 11 открыт, паразитная емкость в коллекторе транзистора 8 разряжается через резистор 10, диод 13, транзистор 11,диод 17, что обуславливает при этом закрытое состояние транзистора 5. Закрытый транзистор 12 приодит к тому, что емкость в коллекторе транзистора 5 разряжается через переход базаэмиттер транзистора 8 и откры...