Силин Анатолий Васильевич
Буферное устройство с функцией повторения и тремя состояниями выхода
Номер патента: 8720
Опубликовано: 30.12.2006
Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Прибыльский Александр Васильевич, Силин Анатолий Васильевич
МПК: H03K 19/088
Метки: устройство, состояниями, повторения, буферное, тремя, функцией, выхода
Текст:
...прохождение сигнала через элемент 17.При подаче на управляющий вход 14 сигнала низкого уровня, а на управляющий вход 8 сигнала высокого уровм 55 НЯ В ЗЗКРЫТОЕ СОСТОЯНИЕ ПЕРЕХОДЯТ транзистор 8 (через пиоп 13), транЭИСТОРЫ 1 оъ 2 (через элемент задерж 35на базе транзистора 1ки 21), транзистор 5 (через транзистор 6). При этом выходные транзисторы 10 н 5 не отдают и не принимают ток,т.е. устройство находитсяв высоком импедансном третьем...
Элемент защиты выходного МОП транзистора интегральной схемы от статического электричества
Номер патента: 4988
Опубликовано: 30.03.2003
Авторы: Силин Анатолий Васильевич, Шведов Сергей Васильевич, Пономарь Владимир Николаевич, Усов Геннадий Иванович, Лемешевская Алла Михайловна, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01L 29/06
Метки: транзистора, моп, элемент, статического, выходного, интегральной, схемы, электричества, защиты
Текст:
...к области коллектора. Элемент защиты выходного МОП транзистора интегральной схемы от воздействия статического электричества содержит биполярный транзистор 1, совмещенный с выходным МОП транзистором, и они выполнены в виде симметричной структуры. Структура элемента защиты содержит области эмиттера 2, коллектора 3 (совмещен со стоком), базового контакта 4. Область истока 5 расположена в центре структуры и ограничена с двух сторон областью...
Интегральная схема
Номер патента: 2817
Опубликовано: 30.06.1999
Авторы: Силин Анатолий Васильевич, Емельянов Виктор Андреевич, Кавриго Николай Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Пономарь Владимир Николаевич
МПК: H01L 23/053
Метки: интегральная, схема
Текст:
...Коэффициент теплового расширения материала прокладки 7 превышает коэффициент теплового расширения кристалла 3 не более, чем на 20 . Прокладка 7 (фиг. 2) выполнена в форме прямоугольной пластины, и содержит сквозные отверстия 8 переменного сечения, расположенные большим сечением в сторону основания 1, центры которых отстоят друг от друга на расстоянии а (фиг. 2) вдоль сторон прокладки, где а 1,0-1,2 мм,2 диаметр большего сечения отверстия 8...
Устройство согласования
Номер патента: 2096
Опубликовано: 30.03.1998
Авторы: Попов Юрий Петрович, Силин Анатолий Васильевич, Белоус Анатолий Иванович, Горовой Владимир Владимирович
МПК: H03K 19/088
Метки: согласования, устройство
Текст:
...диод 15, вкпюченны 45 в направлен к входу 2 устройства. Устройство согласования работает.-Пусть в исходном состоянии на вкод 2 устройства поданннэкий уровень напряжения и устройство находится в зад крытом состоянии. При подаче на вход 2 напряжения высокого уровня величи на напряжения набазе транзистора 1(3 итторе транзистора 12) и базе транзистора 12 повьшается и по достижении величин, равной 21 Е, начинается процесс их одновременногоотпира...
Логическое устройство
Номер патента: 2094
Опубликовано: 30.03.1998
Авторы: Силин Анатолий Васильевич, Горовой Владимир Владимирович, Медведев Виктор Иванович
МПК: H03K 19/088
Метки: устройство, логическое
Текст:
...трлн истор 9 закрыт. На входе 10 ЭПеМеэ, плмяти истаива30, ливается высокий уровень Напряжения,транзистор 18 при этом токе закрыт, а через диод 20 в базу транзистора14 протекает ток, определяемый резистором 7 и обеспечивающн открытое состояние транзистора 1 д на коллекторе которого устанавливается низкий уровень напряжения, Попадаюши на вход 15 элемента памяти 11.При подаче на вход 3 высокого уровня напряжения П, 2,4 В на базе транзистора 6...
RS-триггер
Номер патента: 2093
Опубликовано: 30.03.1998
Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Силин Анатолий Васильевич, Горовой Владимир Владимирович
МПК: H03K 3/286
Метки: rs-триггер
Текст:
...17, можно обеспечить требуемую высокую НЕТРУаочную способность триггера, не изменяя мощности потребления и нагрузочной способности собственно бистабильной ячейки хранения на транзисторахПри переходе триггера в режим хранения и подаче на вход 13 высокого уровнянапрядения диод 11 закрывается и ток, протекающий через резисторы 7 и 20, попадает в базу транзистора 8 через открытый транзистор А,напряжение на коллекторе которогок 4 кэнч Пвэз...
Интегральная схема
Номер патента: 2092
Опубликовано: 30.03.1998
Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Горовой Владимир Владимирович, Силин Анатолий Васильевич
МПК: H01L 27/08
Метки: схема, интегральная
Текст:
...аналогично известному решению резистором 4 и уменьшается до значения 7Чае - прямое падение напряжения перехода база-эмиттер транзистора 1.Таки образом, при подаче на управляющий вход 3 генератора 2 тока высокого уровня сигнала на его выходе 7 появляется имульс тока повышенной величинывтехающий в базы переклчатепьиого транзистора 1 и обеспе чиваюци его форсированое отпираниеи уменьшение времени задержки вклш-2 чения. При подаче на вход 3...
Устройство памяти
Номер патента: 1916
Опубликовано: 30.12.1997
Авторы: Чернуха Борис Николаевич, Горовой Владимир Владимирович, Белоус Анатолий Иванович, Силин Анатолий Васильевич
МПК: H03K 3/286
Метки: устройство, памяти
Текст:
...транзисторов 5, 8, диодов 21, 22, входов 6, 9, начинают разряжаться через резисторы 10 и 7. Однако, поскольку транзистор 11 открыт, паразитная емкость в коллекторе транзистора 8 разряжается через резистор 10, диод 13, транзистор 11,диод 17, что обуславливает при этом закрытое состояние транзистора 5. Закрытый транзистор 12 приодит к тому, что емкость в коллекторе транзистора 5 разряжается через переход базаэмиттер транзистора 8 и откры...