Юрченок Лариса Григорьевна

Номер патента: 5334

Опубликовано: 30.09.2003

Авторы: Юрченок Лариса Григорьевна, Хитько Валентин Иванович

МПК: H01L 31/10

Метки: фоторезистивный, ключ

Текст:

...(1-9)1014 см-3, приконтактныйслой- типа - 3, толщиной 0,2 мкм с концентрацией (2-8)1018 см-3 - методом напыления наносятся // слои толщиной 0,1/0,05/0,6 мкм соответственно, являющиеся после проведения процесса взрывной фотолитографии, токоведущей металлической шиной 4, образующей с - приконтактным слоем 3 полупроводниковой пластины после вжигания омический контакт. Далее методами химического или плазмохимического травления удаляется-...

Номер патента: 5561

Опубликовано: 30.09.2003

Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Юрченок Лариса Григорьевна, Телеш Евгений Владимирович, Малькевич Владимир Эдуардович

МПК: H01L 21/316

Метки: галлия, подложек, пассивирующее, покрытие, арсенида

Текст:

...взаимной диффузии между элементами, входящими в состав слоев. Пассивирующее покрытие функционирует следующим образом. Нижний слой 1 из оксидированного арсенида галлия обеспечивает высокую стабильность и низкий уровень, а верхний слой 3 из оксидированного арсенида галлия - требуемое значение электрической прочности. Толщина верхнего слоя составляет 0,1-0,8 мкм, а нижнего - обычно 0,005-0,006 мкм. Для верхнего слоя она определяется...

Номер патента: 3059

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Закроева Нина Михайловна, Юрченок Лариса Григорьевна, Агафонов Владимир Михайлович

МПК: H01L 31/18

Метки: способ, изготовления, мпм-фотодиода

Текст:

...формируются электроды напылениеми последующим удалением фоторезистивной маски, после чего делается процесс фотолитографии и проводится последовательно плазмохимическое травление диэлектрика и сильнолегированного эпитаксиального слоядо полуизолирующей подложки , далее формируются металлические выводы к электродам на основе барьеров Шоттки с помощью напыленияи последующей фотолитографии и в завершение проводится пассивация поверхности...

Номер патента: 3033

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Телеш Евгений Владимирович, Юрченок Лариса Григорьевна, Улитенок Олег Анатольевич

МПК: H01L 31/10, H01L 31/08

Метки: мпм-фотодиод

Текст:

...диэлектрическое покрытие 3 встречно-штыревые электроды с количеством штырей от 3 до 3000 шт. 4 воздушный зазор 8 диэлектрическое покрытие 9 металлические выводы 5 падающее оптическое излучение 6 граница раздела диэлектрическое покрытие - поверхностный слой 7. МПМ-фотодиод работает следующим образом. Поступающее на МПМ-фотодиод оптическое излучение 6 проходит просветляющее диэлектрическое покрытие 3, 9 и поверхностно-легированный слой 2...