H01L 31/06 — характеризуемые, по меньшей мере, одним потенциальным барьером, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностным барьером
Солнечный элемент на основе диода Шоттки с металлическим полупрозрачным наноячеистым электродом
Номер патента: U 10183
Опубликовано: 30.06.2014
Авторы: Сацкевич Янина Владимировна, Соловьев Ярослав Александрович, Степанов Андрей Анатольевич, Муха Евгений Владимирович, Смирнов Александр Георгиевич
МПК: H01L 31/06, H01L 27/14, H01L 31/108...
Метки: элемент, наноячеистым, основе, электродом, полупрозрачным, шоттки, диода, металлическим, солнечный
Текст:
...часть поступающего светового потока отражается и поглощается металлическим электродом, что заметно снижает эффективность преобразования солнечной энергии в электрическую энергию указанного солнечного элемента. Предлагаемая полезная модель решает задачу увеличения эффективности солнечного элемента, равномерности преобразования падающей световой энергии в электрическую энергию по площади структуры солнечного элемента и срока службы...
Преобразователь солнечной энергии
Номер патента: 9069
Опубликовано: 30.04.2007
Авторы: Сычик Василий Андреевич, Сычик Андрей Васильевич, Шамкалович Владимир Иванович
МПК: H01L 31/0352, H01L 31/04, H01L 31/06...
Метки: энергии, преобразователь, солнечной
Текст:
...носителей заряда . Р-варизонный слой 7 создает градиент напряженности электрического поля, ускоряя перенос фотогенерированных носителей заряда. Для достижения оптимального по максимуму разделения генерированных в р-варизонном слое 7 носителей заряда в диапазоне энергии фотонов 12 ширина этого слоя не должна превышать диффузионной длины основных избыточных носителей и составляет(0,5-0,9), причем она максимальная для полупроводников с...
Лавинный фотоприемник
Номер патента: 6271
Опубликовано: 30.06.2004
Авторы: Красницкий Василий Яковлевич, Залесский Валерий Борисович
МПК: H01L 31/00, H01L 31/06
Метки: фотоприемник, лавинный
Текст:
...проводимости 2 с участками буферного слоя 4 соединены параллельно. На обратной стороне подложки 1 сформирован второй металлический электрод 7, образующий омический контакт к подложке 1. Устройство работает следующим образом. К металлическим электродам 5 и 7 прикладывается постоянное напряжение таким образом, чтобы - переход находился под обратным смещением. При этом все приложенное напряжение в основном падает на буферном слое 4 и области...