Алиев Алигаджи Магомедович

Номер патента: 10510

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Алиев Алигаджи Магомедович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Жигалко Игорь Борисович, Карпов Иван Николаевич

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: дмоп, мощного, высоковольтного, способ, изготовления, транзистора

Текст:

...ДМОП-транзистора по способу-прототипу, а фиг. 10-18 - по предлагаемому способу. На фиг. 1 изображено поперечное сечение после формированияэпитаксиальной структуры 1, окисного слоя 2, создания фотолитографией рисунка охранных областей-типа проводимости 3. На фиг. 2 - структура после ионного легирования бором, удаления фоторезистивной маски и разгонки внедренной примеси, где 4 - -охранная область. На фиг. 3 - структура после...

Номер патента: 4476

Опубликовано: 30.06.2002

Авторы: Алиев Алигаджи Магомедович, Дударчик Анатолий Иванович, Рубцевич Иван Иванович, Ануфриев Леонид Петрович, Кречко Михаил Михайлович

МПК: H01L 29/78, H01L 21/265

Метки: мощного, способ, высоковольтного, дмоп-транзистора, изготовления

Текст:

...структуры транзисторной ячейки после формирования на поверхности кремниевой подложки 1-го типа проводимости 1 подзатворного диэлектрика 2, нанесения слоя поликристаллического кремния 3, на фиг. 2 - после формирования в нем рисунка затвора нанесением слоя фоторезиста, созданием фоторезистивной маски, травлением слоя поликристаллического кремния и расположенного под ним подзатворного диэлектрика, удалением фоторезистивной маски,на фиг. 3 -...

Номер патента: 4024

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Алиев Алигаджи Магомедович, Кречко Михаил Михайлович, Дударчик Анатолий Иванович, Рубцевич Иван Иванович, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: H01L 21/425, H01L 29/78

Метки: изготовления, способ, мощного, дмоп-транзистора, высоковольтного

Текст:

...выигрыша в уменьшении перекрытия затвором р-, -областей при использовании предлагаемого способа изготовления. На фиг. 3 показаны диффузионные профили рканала, -истока рабочей ячейки ДМОП-транзистора в момент после разгонки -истоков при различной величине подтрава поликремния под маску фоторезиста пунктирной - по предлагаемому способу для величины подтрава поликремния Х 0,5 мкм (верхней границы выбранного интервала) штрих-пунктирной - по...

Номер патента: 4025

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Рубцевич Иван Иванович, Ануфриев Леонид Петрович, Алиев Алигаджи Магомедович, Дударчик Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/331, H01L 29/78

Метки: высоковольтного, способ, изготовления, дмоп-транзистора, мощного

Текст:

...кремния, формирование канальных областей ионным легированием бором и разгонкой бора, формирование -истоковых областей, нанесение межслойного окисла, формирование областей контактов к затвору и истокам, создание металлизации, перед нанесением межслойного 2 4025 1 окисла проводят отжиг и окисление -истоковых областей до толщины окисла, составляющей 13 толщины подзатворного окисла. Сопоставительный анализ предполагаемого изобретения с...