Патенты с меткой «легирования»

Номер патента: 17834

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Купченко Геннадий Владимирович, Купченко Владимир Геннадьевич, Майонов Александр Владимирович, Поко Ольга Александровна, Азаркова Екатерина Александровна

МПК: C22C 16/00, C22C 1/03

Метки: легирования, сплавов, платиновых, лигатура

Текст:

...Поставленная задача решается тем, что лигатура для легирования платиновых сплавов, содержащая цирконий, дополнительно содержит растворенный в ней кислород в количестве 25-29 ат. . Сущность заявляемого технического решения заключается в предварительном насыщении сплава кислородом, что позволяет снизить энергию активации процесса окисления,сократить время экспозиции промежуточного продукта в окислительной атмосфере и в итоге сократить...

Номер патента: U 9306

Опубликовано: 30.06.2013

Автор: Ушеренко Юлия Сергеевна

МПК: B23K 20/08

Метки: устройство, легирования, динамического

Текст:

...алюминиевого сплава-12, устанавливается защитная маска из конструкционной стали с толщиной 5-20 мм. Выбор конусного металлического контейнера с поверхностью в форме крупной резьбы,с отношением внешнего диаметра резьбы к внешнему диаметру цилиндра или конуса 1,1-1,35 раза обусловлен как минимальным повреждением обрабатываемой поверхности,так и наибольшей равномерностью распределения вводимых частиц в металлической заготовке. Защитная маска из...

Номер патента: U 8228

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Чигринов Вадим Витальевич, Хохряков Сергей Александрович, Чигринова Наталья Михайловна

МПК: B23H 7/16

Метки: стабилизации, устройство, электроискрового, процесса, легирования, интенсификации

Текст:

...при воздействии на него ультразвукового преобразователя на фиг. 4 - изображение периодичности электроискровых импульсов в процессе паузы. Предлагаемое в данной полезной модели устройство содержит (фиг. 1) ультразвуковой генератор 1 для питания ультразвукового преобразователя 5, формирователь электроискровых разрядов 2, генератор модулирующих импульсов 3, формирующий частотновременные интервалы для акустического и электроискрового...

Номер патента: U 7080

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Шмурадко Валерий Трофимович, Овчинников Владимир Ильич

МПК: C23C 14/32, B23K 20/00

Метки: легирования, взрывом, устройство

Текст:

...хордой окружности, описывающей внутреннюю поверхность регулирующей опоры, причем величина хорды составляет 1/6-1/12 от длины окружности, а элементы опоры скреплены между собой попарно. На фиг. 4 показан контейнер, который имеет в продольном сечении две полости и форму, образуемую при вращении вокруг оси симметрии линии, описываемой уравнением кубической параболы 0,073 - 0,06226,16, ограниченной по высоте плоскостью на 0,3-0,5 от расстояния...

Номер патента: U 5025

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Тихонов Павел Вениаминович, Константинов Валерий Михайлович

МПК: B23H 11/00

Метки: легирования, инструмент-электрод, электроискрового

Текст:

...того, затруднена обработка внутренних поверхностей из-за больших габаритов применяемого оборудования. Задачей полезной модели является повышение производительности электроискрового легирования и расширение области применения за счет возможности обработки внутренних поверхностей. Поставленная задача решается за счет того, что инструмент-электрод содержит вал, на котором неподвижно закреплены две шайбы тарельчатой формы основаниями друг к...

Номер патента: 10929

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Кисель Виктор Эдвардович, Левченко Владимир Иванович, Сорокина Ирина Тиграновна, Кулешов Николай Васильевич, Постнова Лариса Ивановна, Щербицкий Виктор Георгиевич

МПК: C30B 33/00, C30B 31/00, C30B 29/10...

Метки: способ, селенида, легирования, кристаллов, хромом, цинка

Текст:

...исходном нелегированном материале и введенные на стадии диффузии структурные дефекты. При этом вследствие того, что в процессе отжига в парах цинка устраняются не только введенные,но и присутствующие в исходном материале дефекты, в качестве последнего может быть использован недорогойс относительно большими оптическими потерями. Кроме того, разделение в предлагаемом способе стадий диффузионного легирования и отжига позволяет оптимизировать...

Номер патента: 10818

Опубликовано: 30.06.2008

Автор: Киселев Владимир Иосифович

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковой, способ, ионного, легирования, дозы, определения, структуры

Текст:

...см-3 и 1,041019 см-3 3, 10, т.е. все функции 11, 12, 13 описывают реакцию невырожденногона ионное облучение. Резистивный 1 и переходный 4 слои могут быть получены любым традиционным способом - эпитаксия осаждение поликристаллического полупроводника с одновременным или последующим его легированием до уровня не ниже (2-3)10 см-3 ионная имплантация. В последнем случае структура -(-) не имеет резкой границы, которая тогда условно...

Номер патента: 9861

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Дьяченко Ольга Владимировна, Девойно Олег Георгиевич, Кардаполова Маргарита Анатольевна

МПК: B23K 26/18, C23C 24/00

Метки: железа, основе, покрытий, обмазки, состав, легирования, лазерного

Текст:

...ведущей к уменьшению адгезионной прочности и уменьшению износостойкости в условиях сухого трения. Уменьшение содержания борида тантала ниже 10 ведет к увеличению зерна и, следовательно, к ухудшению износостойкости. При увеличении выше 15 борида тантала приводит к выгоранию обмазки и уменьшению адгезионной прочности и величины износа. Уменьшение в обмазке количества диборида молибдена ниже 35 ведет к уменьшению износостойкости получаемого...

Номер патента: 9036

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Капсаров Александр Григорьевич, Чигринова Наталья Михайловна, Чигринов Виталий Евгеньевич, Сухман Илья Дмитриевич

МПК: B23H 7/16

Метки: инструмент, электроискрового, легирования, многоэлектродный

Текст:

...например,ультразвуковой вибратор, связанный с электрододержателем электроды расположены разновысотно относительно обрабатываемой поверхности детали посредством установки плоскости их закрепления под углом к этой поверхности, причем контактная поверхность рабочего торца каждого последующего электрода отстоит от контактной поверхности предыдущего электрода на толщину образованного им слоя, при этом амплитуда А колебаний источника механических...

Номер патента: 8327

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Чивель Юрий Александрович, Чивель Владимир Юрьевич

МПК: B23K 26/00

Метки: лазерной, наплавки, легирования, устройство

Текст:

...Кроме того, при малых диаметрах центрального максимума бесселева пучка трудно обеспечить полное поглощение излучения в струе порошка, и также имеет место снижение КПД процесса. Задачей данного изобретения является создание устройства лазерной наплавки и легирования, которое обеспечивало бы уменьшение длины области фокусировки бесселева пучка и увеличение поглощения лазерного излучения в струе порошка, что обеспечивало бы повышение КПД...

Номер патента: 8326

Опубликовано: 30.08.2006

Автор: Чивель Юрий Александрович

МПК: B23K 26/00

Метки: наплавки, лазерного, легирования, устройство

Текст:

...что обуславливает большую длину области фокусировки бесселева пучка и,как следствие, снижение интенсивности излучения в области порошковой струи и снижение КПД процесса и точности изготовления изделия. Задачей данного изобретения является создание устройства лазерного легирования и наплавки, которое обеспечивало бы уменьшение длины области фокусировки бесселева пучка и обеспечивало бы повышение интенсивности излучения в области струи,...

Номер патента: U 2150

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Алексеенко Александр Анатольевич, Бойко Андрей Андреевич, Подденежный Евгений Николаевич, Россол Александр Иванович

МПК: C03B 8/02

Метки: материалов, халькогенидами, легирования, устройство, галогенами

Текст:

...равномерно проникать через поры заготовки. Вакуумный пост, содержащий непосредственно вакуумный насос, два поглотителя, в один из которых помещен раствор щелочи, и регулирующие краны, предназначен для создания и контроля в камерах давления 10-15 Па, поддержания такого давления в процессе легирования при нагреве и охлаждении камер, нейтрализации токсичных продуктов реакции, предотвращения последствий и возможных нештатных ситуаций (выход из...

Номер патента: 7055

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Онищук Виталий Прохорович, Кушнарев Николай Николаевич, Эндерс Владимир Владимирович, Паршиков Анатолий Николаевич, Стеблов Анвер Борисович, Дюдкин Дмитрий Александрович, Бать Сергей Юрьевич, Шевченко Александр Данилович, Филиппов Вадим Владимирович, Кисиленко Владимир Васильевич

МПК: C21C 7/00

Метки: способ, легирования, титаном, стали, внепечного

Текст:

...в диапазоне 4,010,0 г/т-с.Приведенные выще признаки являются необходимыми и достаточными для всех случаев, на которые распространяется область изобретения.Между существенными признаками и техническим результатом - достижение стабильно высокой степени усвоения титана и стабильного получения его содержания в узких заданных пределах - существует причинно-следственная связь, которая объясняется следующим образом. При вводе титансодержащей...

Номер патента: 6931

Опубликовано: 30.03.2005

Автор: Чивель Юрий Александрович

МПК: B23K 26/00

Метки: устройство, наплавки, способ, легирования, лазерного, осуществления

Текст:

...участок поверхности.Благодаря боковому подводу лазерного излучения к тонкой струе наносимого материала практически исключается как взаимная экранировка частиц, так И поверхности частицами,увеличивается время пребывания материала в зоне нагрева И соответственно КПД процесса Икоэффициент использования материала. Точность нанесения материала определяется диаметром пятна фокусировки на поверхности изделия И характерными размерами наносимого...

Номер патента: U 1494

Опубликовано: 30.09.2004

Авторы: Тихонов Павел Вениаминович, Константинов Валерий Михайлович, Шимин Владимир Николаевич

МПК: B23H 11/00

Метки: легирования, инструмент-электрод, электроискрового

Текст:

...оболочки материал, из которого выполнены элементы конструкции, сердцевины и диффузионной оболочки. Наличие в диффузионной оболочке легирующих элементов позволяет в процессе легирования насыщать ими легируемую поверхность, что приводит к повышению физикомеханических свойств поверхностного слоя. Наличие сердцевины обусловлено особенностями протекания диффузионного легирования. Для каждого последующего прироста глубины легирования...

Номер патента: 5321

Опубликовано: 30.06.2003

Авторы: Телеш Евгений Владимирович, Достанко Анатолий Павлович

МПК: H01L 21/266

Метки: ионного, маска, арсенида, галлия, легирования

Текст:

...сквозь него и внедряются в подложку из арсенида галлия 1. В процессе ионной имплантации к слою 2 подсоединяется заземление, что обеспечивает эффективное снятие положительного заряда и, соответственно, получение резких границ легированных областей. Кроме того, наличие защитного слоя 2 позволяет осуществлять внедрение ионов при температурах до 400-500 С, что будет способствовать формированию профиля залегания примеси, близкому к Гауссову, без...