Патенты с меткой «сверхпроводников»
Способ создания конфигурации тонких пленок высокотемпературных сверхпроводников
Номер патента: 5926
Опубликовано: 30.03.2004
Авторы: Болдышева Ирина Петровна, Петров Николай Петрович, Лыньков Леонид Михайлович
МПК: H01L 39/22, H01L 39/24
Метки: тонких, создания, пленок, способ, конфигурации, сверхпроводников, высокотемпературных
Текст:
...(380-390 кг силы/см 2) водорода в течение 0,5 ч при (300-350 С), а также то, что в качестве тугоплавкого металла используетсяс примесью(0,8-0,85 вес.). Сущность данного изобретения заключается в том, что термообработка в паро-водородной среде приводит к образованию гидридов тугоплавкого металла, изменению структуры пленки и нарушению целостности слоя. Это способствует более полному удалению окисленного слоя тугоплавкого металла и дает...
Способ формирования пленочных микромостиков из высокотемпературных сверхпроводников
Номер патента: 2309
Опубликовано: 30.09.1998
Авторы: Погребняков Алексей Владимирович, Достанко Анатолий Павлович, Матюнина Ольга Владимировна
МПК: H01L 39/24, H01L 39/22
Метки: формирования, пленочных, высокотемпературных, способ, микромостиков, сверхпроводников
Текст:
...о наличии большого числа межзеренных переходов в микромостике. 2 2309 1 Одним из основных недостатков описанного способа является низкая воспроизводимость характеристик пленочных микромостиков, так как слабая связь создается на границе раздела двух зерен, образование которых представляет собой случайный процесс, поэтому и значения параметров пленочных микромостиков тоже являются случайными величинами. Задачей предлагаемого способа является...
Способ получения пленок металлооксидных высокотемпературных сверхпроводников
Номер патента: 358
Опубликовано: 30.03.1995
Авторы: Точицкий Эдуард Иванович, Рубан Геннадий Иосифович, Свиридович Олег Григорьевич
МПК: C23C 14/28
Метки: сверхпроводников, получения, высокотемпературных, способ, металлооксидных, пленок
Текст:
...на атомах вподложке. я двухступенчатый напуск кислорода впленки необходимдля обеспечения 1) фа- .зового перехода тетрагональной структуры в орторомбическую и 2) насыщения этой фазы кислородом до оптимальной величины т с определеннымсодержанием и упорядочением -в кислородной подсистеме- ортором бической фазы. При давлении-г кислородаболее 133 па и менее 40 Па на первом этапепленки при этому наблюдается также нео днородность состава пленки...