C23C 14/34 — распыление металлов
Способ создания обмотки высокочастотного микроиндуктора на основе полиимидной пленки
Номер патента: 16776
Опубликовано: 28.02.2013
Авторы: Петров Александр Владимирович, Демьянов Сергей Евгеньевич, Канюков Егор Юрьевич
МПК: C23C 14/34, C23C 14/04, H01F 27/28...
Метки: основе, способ, высокочастотного, пленки, микроиндуктора, обмотки, создания, полиимидной
Текст:
...мкм. На финишном этапе изготовления подложка кремния, на которой изначально формировалась многослойная структура индуктора, стравливалась,что в конечном итоге обеспечивало гибкость изделия. Величина индуктивности такого индуктора составила 10-7 Гн, а его добротность - 10 при частоте 0,1 ГГц. Недостаток данного способа заключается в многостадийности технологии изготовления, связанной с применением нескольких физико-химических методик, а...
Способ создания высокочастотного микротрансформатора
Номер патента: 16422
Опубликовано: 30.10.2012
Авторы: Канюков Егор Юрьевич, Петров Александр Владимирович, Демьянов Сергей Евгеньевич
МПК: H01F 41/00, C23C 14/34, C23C 14/04...
Метки: высокочастотного, микротрансформатора, создания, способ
Текст:
...травления с использованием газов 2 и 3 стравливался слой - до поверхности оксида кремния на кремнии. В результате была сформирована первичная обмотка трансформатора спирального типа. Далее удалялся фоторезист и слой 2, расположенный поверх проводника -, после чего напылялся слой 2 толщиной 1,5 мкм для разделения первичной и вторичной обмоток. Аналогично первичной формировалась вторичная обмотка. Созданный таким образом планарный...
Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния
Номер патента: 15320
Опубликовано: 28.02.2012
Автор: Сенько Сергей Федорович
МПК: C23C 14/34, H01L 21/322
Метки: полупроводниковых, кремния, пластин, способ, изготовления
Текст:
...для эпитаксиальной рекристаллизации поликристаллического кремния (поли-). В то же время они не являются барьером для диффузии неконтролируемых примесей в область геттера, поскольку имеют одинаковую с ними химическую природу - неконтролируемые примеси существуют в кремнии преимущественно в виде силицидов. Выбор из всей совокупности силицидов именно силицида титана или тантала обусловлен следующими факторами. Эти силициды характеризуются...
Вакуумная установка
Номер патента: U 7491
Опубликовано: 30.08.2011
Авторы: Логвин Владимир Александрович, Жолобов Александр Алексеевич, Логвина Екатерина Владимировна
МПК: C23C 14/34
Текст:
...любой составляющей периметра катода. На аноде со стороны его торцевой поверхности выполнена выемка глубиной до одного наружного максимального размера торцевой поверхности анода. Дополнительно на выемке выполнены углубления. Дополнительно в углубления установлены вставки. В предлагаемой установке возникновение и устойчивое горение тлеющего разряда с формированием характерных для него структур осуществляется благодаря оптимальному подбору...
Вакуумная установка
Номер патента: U 6537
Опубликовано: 30.08.2010
Авторы: Жолобов Александр Алексеевич, Логвин Владимир Александрович, Логвина Екатерина Владимировна
МПК: C23C 14/34
Текст:
...в поверхностном слое обрабатываемых изделий измененной структуры, состоящей из различных металлов,можно сократить время упрочнения до 30 или повысить прочность поверхностного слоя обрабатываемого изделия до 30 . Сущность полезной модели поясняется иллюстрацией, на которой схематично изображено заявляемое устройство. На фигуре показан разрез заявляемого устройства по оси анод-катод с токопроводящим материалом под изделиями. Анод 1 установлен в...
Вакуумная установка
Номер патента: U 6536
Опубликовано: 30.08.2010
Авторы: Жолобов Александр Алексеевич, Логвин Владимир Александрович, Логвина Екатерина Владимировна
МПК: C23C 14/34
Текст:
...форвакуумного, блока питания, анода и катода, согласно полезной модели, площадь торцовой поверхности анода выполнена, по крайней мере, в сто раз меньше площади катода. Минимальный наружный размер торцовой поверхности в пять раз меньше, чем минимальный размер любой составляющей периметра катода, или в 10 раз меньше его диаметра, если он выполнен в форме круга. На аноде со стороны торцовой поверхности выполнена выемка глубиной от одного до двух...
Устройство для генерации плазменных потоков
Номер патента: U 4402
Опубликовано: 30.06.2008
Авторы: Суворов Анатолий Николаевич, Шевченок Александр Аркадьевич, Андреев Михаил Анатольевич, Макаревич Евгений Петрович
МПК: C23C 14/34
Метки: генерации, плазменных, потоков, устройство
Текст:
...ионно-лучевых покрытий. Это достигается тем, что в известном устройстве, содержащем водоохлаждаемый кольцевой анод, катод, состоящий из двух концентрических колец, катушку соленоида,кожух, магнитопровод, внутреннее кольцо катода может перемещаться вдоль оси устройства, изменяя форму щелевого зазора между анодом и катодом, что приводит к изменению конфигурации ионного пучка, превращая его из цилиндрического в конический с регулируемым...
Способ нанесения пленки молибдена на полупроводниковые подложки
Номер патента: 9957
Опубликовано: 30.12.2007
Авторы: Портнов Лев Яковлевич, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Баранов Валентин Владимирович
МПК: C23C 14/34, C23C 14/35
Метки: полупроводниковые, способ, пленки, молибдена, подложки, нанесения
Текст:
...подложке и ухудшению стабильности ее структуры и воспроизводимости электрофизических свойств, снижению выхода годных ИСМЭ. Мощность магнетронного разряда однозначно определяет скорость нанесения пленки,а, следовательно, ее структуру и электрофизические свойства. При мощности распыления менее 0,7 кВт наблюдается увеличение растягивающих механических напряжений, что приводит к ухудшению адгезии пленок, а, следовательно, стабильности их...
Катодный узел
Номер патента: 9560
Опубликовано: 30.08.2007
Авторы: Чапкович Анатолий Сергеевич, Тарасиков Михаил Васильевич, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: C23C 14/34
Текст:
...выступов на боковой поверхности катода-мишени не обеспечивается герметичное вакуум-плотное крепление катода-мишени к водоохлаждаемому держателю. Сущность изобретения поясняется фиг. 1-4, где на фиг. 1 схематично показано магнетронное распылительное устройство (МРУ) для ионно-плазменного напыления с катодным узлом в соответствии с прототипом, на фиг. 2 схематично показано устройство мишени для катодного узла МРУ согласно прототипу, на фиг. 3...
Катодный узел для ионно-плазменного нанесения пленок
Номер патента: 6143
Опубликовано: 30.06.2004
Авторы: Каморников Игорь Михайлович, Пиун Виктор Михайлович, Малащенко Алексей Терентьевич
МПК: C23C 14/35, C23C 14/34
Метки: ионно-плазменного, нанесения, узел, пленок, катодный
Текст:
...кольцеобразной пластины. В соответствии с изобретением улучшается не только охлаждение катода-мишени, но и постоянного магнита. Создание камеры охлаждения, согласно предложенному, и выполнение катода-мишени и держателя в виде пластин обеспечивает интенсивное охлаждение катода-мишени, за счет эффективного теплоотвода от катода-мишени через пластинудержатель, с одной стороны, и эффективное охлаждение магнитных наконечников и магнитопровода...
Установка для нанесения многослойных тонкопленочных покрытий методом магнетронного распыления
Номер патента: U 918
Опубликовано: 30.06.2003
Авторы: Голосов Дмитрий Анатольевич, Достанко Анатолий Павлович, Завадский Сергей Михайлович, Свадковский Игорь Витальевич
МПК: C23C 14/34
Метки: многослойных, магнетронного, покрытий, установка, нанесения, тонкопленочных, методом, распыления
Текст:
...система расположена с внутренней стороны фланца, а ионный источник - с внешней стороны фланца. Это позволяет обеспечить нанесение тонкопленочных структур с заданной однородностью свойств по поверхности подложки при ограниченных габаритах фланцев Ионный источник включается перед нанесением очередного слоя и обеспечивает стимуляцию разряда магнетрона, что позволяет добиться одновременного функционирования магнетронной...
Способ получения распыляемых мишеней для осаждения тонких пленок
Номер патента: 4682
Опубликовано: 30.09.2002
Авторы: Полынкова Елена Владимировна, Колешко Владимир Михайлович, Шевченок Александр Аркадьевич, Гулай Анатолий Владимирович
МПК: H01J 37/32, C23C 14/34, H01J 37/34...
Метки: мишеней, получения, тонких, пленок, осаждения, распыляемых, способ
Текст:
...кроме этого образуют соединения состава 23 и . Получение мишеней в соответствии с заявляемым способом осуществляется следующим образом. Из медного листа вырезают пластины необходимого размера, служащие теплоотводящим основанием для графитовой мишени (фиг. 1). Затем на пластины наносят гранулы из материала на основе меди (фиг. 2). Диаметр гранул может быть равен 0,2-0,8 мм, толщина слоя гранул 1 мм. Полученная композиция подвергается...
Способ получения защитно-декоративных покрытий в вакууме из нитрида титана на изделиях из металла, стекла, керамики
Номер патента: 215
Опубликовано: 30.12.1994
Автор: Кремко Е. В.
МПК: C23C 14/34
Метки: титана, стекла, керамики, металла, способ, нитрида, защитно-декоративных, покрытий, получения, изделиях, вакууме
Текст:
...потребления. Изделия из металла - это ложки, вилки. ножи. турки и др. посуда. Изделия из стекла - это линзы. вазы. витражные стекла стаканы. фужеры. сервизы и др. посуда. Изделия из керамики это облицовочная плитка. серви зы из керамики и фарфора. вазы и др. посу-потребления, особенно важен фактор проч ности сцепления покрытия с основой. а затем цвет изделий как декоративная характеристика. данное изобретение решает эту проблему....