Чигирь Григорий Григорьевич
Способ определения времени наработки на отказ подзатворного диэлектрика МДП-микросхемы
Номер патента: 17531
Опубликовано: 30.10.2013
Авторы: Филипеня Виктор Анатольевич, Шведов Сергей Васильевич, Петлицкий Александр Николаевич, Чигирь Григорий Григорьевич
МПК: G01R 31/28, H01L 21/66
Метки: отказ, мдп-микросхемы, диэлектрика, способ, времени, наработки, подзатворного, определения
Текст:
...не протекает через диэлектрик и не создает вклада в деградацию диэлектрика, что приводит к увеличению погрешности измерений. С уменьшением длительности импульса величина погрешности возрастает, и при длительности импульса менее 5 мс точность измерений становится недопустимо низкой при использовании длительности импульса более 50 мс существенно возрастает время испытаний и нарушается экспрессность контроля. Время испытаний увеличивается до...
Способ измерения глубины нарушенного слоя на поверхности кремниевой полупроводниковой пластины
Номер патента: 5907
Опубликовано: 30.03.2004
Авторы: Чигирь Григорий Григорьевич, Ануфриев Леонид Петрович, Пеньков Анатолий Петрович, Ухов Виктор Анатольевич
МПК: H01L 21/66
Метки: поверхности, глубины, полупроводниковой, пластины, нарушенного, способ, кремниевой, слоя, измерения
Текст:
...слои,что приводит к дополнительному дефектообразованию и увеличению нарушенного слоя. При использовании углов падения пучка ионов в диапазоне 10-45 увеличения нарушенного слоя и формирования микрорельефа на поверхности кремниевой пластины не наблюдается при выборе пучка ионов с атомным номером менее 7 (легкие ионы) наблюдается внедрение падающих ионов в поверхностные слои, что приводит к дополнительному дефектообразованию и увеличению...
Способ создания металлизации полупроводниковых приборов и интегральных схем
Номер патента: 2823
Опубликовано: 30.06.1999
Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Чигирь Григорий Григорьевич, Пономарь Владимир Николаевич, Пилипенко Владимир Александрович
МПК: H01L 21/324
Метки: приборов, схем, интегральных, создания, полупроводниковых, способ, металлизации
Текст:
...поверхности плнок алюминия после таких термообработок является практически отсутствие бугров и плнки остаются стабильными по структуре при проведении последующих операций фотолитографии высота бугров на плнках алюминия, измеренная на растровом электронном микроскопе после термообработки в предлагаемых режимах, проведения операций плазмохимического травления алюминия и удаление фоторезистора не превышает 0,10-0,15 мкм высота бугров на...