Закроева Нина Михайловна
Способ изготовления светоизлучающего диода
Номер патента: 4669
Опубликовано: 30.09.2002
Авторы: Закроева Нина Михайловна, Корытько Дмитрий Константинович, Лойко Галина Ивановна, Савостьянова Наталья Александровна
МПК: H01L 33/00
Метки: способ, изготовления, диода, светоизлучающего
Текст:
...структура после утонения пластины до 110 мкм и формирования омического контакта - к подложке. На фиг. 7 представлена структура после травления подложки через маски разнотолщинных резистов. На фиг. 8 представлена структура после формирования линзы. Пример осуществления способа. Для изготовления СИД в качестве полупроводникового материала используют п- подложку, на которой методом жидкофазной эпитаксии выращены п- буферный слой толщиной 5 мкм,...
Способ изготовления МПМ-фотодиода
Номер патента: 3059
Опубликовано: 30.12.1999
Авторы: Агафонов Владимир Михайлович, Закроева Нина Михайловна, Юрченок Лариса Григорьевна
МПК: H01L 31/18
Метки: мпм-фотодиода, способ, изготовления
Текст:
...формируются электроды напылениеми последующим удалением фоторезистивной маски, после чего делается процесс фотолитографии и проводится последовательно плазмохимическое травление диэлектрика и сильнолегированного эпитаксиального слоядо полуизолирующей подложки , далее формируются металлические выводы к электродам на основе барьеров Шоттки с помощью напыленияи последующей фотолитографии и в завершение проводится пассивация поверхности...