Патенты с меткой «мощный»
Мощный высокоскоростной фотодиод (варианты)
Номер патента: U 8220
Опубликовано: 30.04.2012
Авторы: Малышев Сергей Александрович, Чиж Александр Леонидович
МПК: H01L 31/102
Метки: мощный, фотодиод, высокоскоростной, варианты
Текст:
...первого типа второй металлический электрод 6, образующий омический контакт с легированным полупроводниковым слоем 4 с проводимостью второго типа диэлектрический слой 7, изолирующий боковую поверхность мезаструктуры 1. При этом металлические электроды 5 и 6 выполнены в виде балок, расположенных в плоскости, параллельной полупроводниковым слоям 2, 3, 4, и изолированных от боковой поверхности мезаструктуры 1. Мощный высокоскоростной...
Мощный биполярный транзистор
Номер патента: 6250
Опубликовано: 30.06.2004
Авторы: Рубцевич Иван Иванович, Голубев Николай Федорович, Ануфриев Леонид Петрович
МПК: H01L 29/73
Метки: мощный, транзистор, биполярный
Текст:
...к области базы сформированы в центре каждого окнаячейки (13) через окна в маске диэлектрического материала (8) и соединены полосовыми металлическими шинами (9) с общей металлической шиной (11) базы, омические контакты (7) к области эмиттера выполнены дискретно через окна в маске диэлектрического материала (8) в точках, одинаково удаленных от ближайших омических контактов (6) к области базы, и соединены полосовыми металлическими шинами (10) с...
Мощный биполярный транзистор, устойчивый к обратному вторичному пробою
Номер патента: 4014
Опубликовано: 30.09.2001
Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Рубцевич Иван Иванович, Дударчик Анатолий Иванович, Ануфриев Леонид Петрович, Голубев Николай Федорович
МПК: H01L 29/72
Метки: вторичному, обратному, мощный, биполярный, устойчивый, транзистор, пробою
Текст:
...первого типа, базовую область с проводимостью второго типа, противоположного первому, примыкающую к коллекторной области с образованием - перехода база-коллектор, эмиттерную область с проводимостью первого типа, примыкающую к базовой области с образованием - перехода база-эмиттер, коллекторная область, примыкающая к планарной поверхности кристалла и базовой области, дополнительно легирована примесью первого типа проводимости на глубину,...