Патенты с меткой «ионного»

Номер патента: U 7897

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Татур Вадим Георгиевич, Поболь Игорь Леонидович, Махмуд Шеху Ахмед, Назарова Ольга Игоревна

МПК: H01J 37/317, C23C 8/36

Метки: азотирования, процесса, регулирования, устройство, ионного

Текст:

...которых разряд достигался от постоянного тока (метод холодной стенки). Серьезным недостатком этого варианта являются большие различия температур в садке и, следовательно, большой разброс результатов обработки, а также сравнительно низкая плотность загрузки, высокое потребление энергии и тесное слияние термических и химических процессов. Существенный прогресс здесь удалось достичь в результате использования пульсирующего разряда 6. Пульсация...

Номер патента: 10818

Опубликовано: 30.06.2008

Автор: Киселев Владимир Иосифович

МПК: H01L 21/66

Метки: способ, определения, структуры, легирования, ионного, полупроводниковой, дозы

Текст:

...см-3 и 1,041019 см-3 3, 10, т.е. все функции 11, 12, 13 описывают реакцию невырожденногона ионное облучение. Резистивный 1 и переходный 4 слои могут быть получены любым традиционным способом - эпитаксия осаждение поликристаллического полупроводника с одновременным или последующим его легированием до уровня не ниже (2-3)10 см-3 ионная имплантация. В последнем случае структура -(-) не имеет резкой границы, которая тогда условно...

Номер патента: 5321

Опубликовано: 30.06.2003

Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Телеш Евгений Владимирович

МПК: H01L 21/266

Метки: маска, галлия, ионного, арсенида, легирования

Текст:

...сквозь него и внедряются в подложку из арсенида галлия 1. В процессе ионной имплантации к слою 2 подсоединяется заземление, что обеспечивает эффективное снятие положительного заряда и, соответственно, получение резких границ легированных областей. Кроме того, наличие защитного слоя 2 позволяет осуществлять внедрение ионов при температурах до 400-500 С, что будет способствовать формированию профиля залегания примеси, близкому к Гауссову, без...

Номер патента: U 443

Опубликовано: 30.03.2002

Авторы: Белый Алексей Владимирович, Лях Анатолий Александрович, Ших Сергей Константинович

МПК: C23C 14/48

Метки: устройство, сильноточного, ионного, азотирования, низкоэнергетического

Текст:

...сильное распыление стенок полого катода, приводящее к неконтролируемому загрязнению ионного потока. Задачей полезной модели является повышение производительности и снижение степени загрязненности поверхности обрабатываемых деталей. Задача решается следующим образом. В устройстве для сильноточного низкоэнергетического ионного азотирования, состоящего из камеры - анода, внутри которого расположен полый катод с экраном и подложка для...