Рубцевич Иван Иванович

Номер патента: 17627

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Рубцевич Иван Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Выговский Станислав Вячеславович, Керенцев Анатолий Федорович

МПК: C04B 41/51

Метки: керамических, изоляторов, алюмооксидных, способ, металлизации

Текст:

...температурой от 40 до 50 С. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. При вжигании металлизации при температуре ниже 1640 С и барботировании азота с водородом при температуре воды менее 40 С повышается пористость металлизации на границе с керамикой и образуется пограничный слой неравномерной толщины, что приводит к снижению вакуумной плотности паяных...

Номер патента: 6250

Опубликовано: 30.06.2004

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Голубев Николай Федорович, Рубцевич Иван Иванович

МПК: H01L 29/73

Метки: транзистор, мощный, биполярный

Текст:

...к области базы сформированы в центре каждого окнаячейки (13) через окна в маске диэлектрического материала (8) и соединены полосовыми металлическими шинами (9) с общей металлической шиной (11) базы, омические контакты (7) к области эмиттера выполнены дискретно через окна в маске диэлектрического материала (8) в точках, одинаково удаленных от ближайших омических контактов (6) к области базы, и соединены полосовыми металлическими шинами (10) с...

Номер патента: 4476

Опубликовано: 30.06.2002

Авторы: Дударчик Анатолий Иванович, Ануфриев Леонид Петрович, Кречко Михаил Михайлович, Алиев Алигаджи Магомедович, Рубцевич Иван Иванович

МПК: H01L 29/78, H01L 21/265

Метки: изготовления, мощного, высоковольтного, способ, дмоп-транзистора

Текст:

...структуры транзисторной ячейки после формирования на поверхности кремниевой подложки 1-го типа проводимости 1 подзатворного диэлектрика 2, нанесения слоя поликристаллического кремния 3, на фиг. 2 - после формирования в нем рисунка затвора нанесением слоя фоторезиста, созданием фоторезистивной маски, травлением слоя поликристаллического кремния и расположенного под ним подзатворного диэлектрика, удалением фоторезистивной маски,на фиг. 3 -...

Номер патента: 4024

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Дударчик Анатолий Иванович, Рубцевич Иван Иванович, Кречко Михаил Михайлович, Алиев Алигаджи Магомедович

МПК: H01L 21/425, H01L 29/78

Метки: изготовления, мощного, дмоп-транзистора, высоковольтного, способ

Текст:

...выигрыша в уменьшении перекрытия затвором р-, -областей при использовании предлагаемого способа изготовления. На фиг. 3 показаны диффузионные профили рканала, -истока рабочей ячейки ДМОП-транзистора в момент после разгонки -истоков при различной величине подтрава поликремния под маску фоторезиста пунктирной - по предлагаемому способу для величины подтрава поликремния Х 0,5 мкм (верхней границы выбранного интервала) штрих-пунктирной - по...

Номер патента: 4025

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Алиев Алигаджи Магомедович, Ануфриев Леонид Петрович, Рубцевич Иван Иванович, Дударчик Анатолий Иванович

МПК: H01L 29/78, H01L 21/331

Метки: изготовления, дмоп-транзистора, высоковольтного, способ, мощного

Текст:

...кремния, формирование канальных областей ионным легированием бором и разгонкой бора, формирование -истоковых областей, нанесение межслойного окисла, формирование областей контактов к затвору и истокам, создание металлизации, перед нанесением межслойного 2 4025 1 окисла проводят отжиг и окисление -истоковых областей до толщины окисла, составляющей 13 толщины подзатворного окисла. Сопоставительный анализ предполагаемого изобретения с...

Номер патента: 4014

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Дударчик Анатолий Иванович, Голубев Николай Федорович, Ануфриев Леонид Петрович, Рубцевич Иван Иванович, Матюшевский Анатолий Петрович

МПК: H01L 29/72

Метки: мощный, устойчивый, обратному, биполярный, транзистор, пробою, вторичному

Текст:

...первого типа, базовую область с проводимостью второго типа, противоположного первому, примыкающую к коллекторной области с образованием - перехода база-коллектор, эмиттерную область с проводимостью первого типа, примыкающую к базовой области с образованием - перехода база-эмиттер, коллекторная область, примыкающая к планарной поверхности кристалла и базовой области, дополнительно легирована примесью первого типа проводимости на глубину,...