Патенты с меткой «маска»

Номер патента: U 5027

Опубликовано: 28.02.2009

Автор: Гринь Николай Николаевич

МПК: A61F 9/04, A42B 3/18

Метки: защитная, маска

Текст:

...2 50272009.02.28 Защитный экран предпочтительно выполнен с двумя горизонтальными выступами в его верхней части, по одному - с каждой его стороны, и узел крепления выполнен в каждом из указанных выступов. Предпочтительно, разъемное регулируемое оголовье выполнено в виде упругого разъемного обруча с замком и снабжено устройством для охвата головы через макушку, выполненным заодно с ним в виде упругого разъемного полукольца с замком. Замки как...

Номер патента: U 4760

Опубликовано: 30.10.2008

Автор: Туманов Эдуард Викторович

МПК: A61M 16/06

Метки: мелким, подопытным, ингаляционного, животным, маска, наркоза

Текст:

...медперсонал,приводит к возникновению пожаро- и взрывоопасной ситуации. Задача, на решение которой направлена заявляемая полезная модель, заключается в создании удобной в применении и простой в изготовлении маски для ингаляционного наркоза мелким подопытным животным. Технический результат, достигаемый заявляемой полезной моделью заключается в обеспечении возможности проведения ингаляционного наркоза с применением как жидких,так и газообразных...

Номер патента: 6866

Опубликовано: 30.03.2005

Автор: Буйкус Кястас Вито

МПК: A61F 9/06

Метки: маска, защитная

Текст:

...образующее с перегородками воздушнораспределительную камеру и коллектор кожух содержит полость. заполненную разреженным воздухом. между кожухом и воздушно-распределительной камерой расположена охладительная камера с ребрами. присоединенная к воздушно-распределительной камере через дополнительный коллектор. расположенный на выходе охладительной камеры. при этом охлаждение и обдув осуществляется воздухом. насыщенным парами воды. а расход...

Номер патента: 5321

Опубликовано: 30.06.2003

Авторы: Телеш Евгений Владимирович, Достанко Анатолий Павлович

МПК: H01L 21/266

Метки: ионного, маска, легирования, галлия, арсенида

Текст:

...сквозь него и внедряются в подложку из арсенида галлия 1. В процессе ионной имплантации к слою 2 подсоединяется заземление, что обеспечивает эффективное снятие положительного заряда и, соответственно, получение резких границ легированных областей. Кроме того, наличие защитного слоя 2 позволяет осуществлять внедрение ионов при температурах до 400-500 С, что будет способствовать формированию профиля залегания примеси, близкому к Гауссову, без...