H01L 29/772 — полевые транзисторы

Номер патента: 18093

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Дудар Наталия Леонидовна, Гетьман Сергей Николаевич, Лемешевская Алла Михайловна, Леонов Николай Иванович

МПК: H01L 29/772

Метки: высоковольтный, моп-транзистор

Текст:

...низкую концентрацию примеси, что ведет к образованию паразитного МОП 2 18093 1 2014.04.30 транзистора и образованию утечки между областью того же типа проводимости, что и подложка транзистора, и подложкой. Для предотвращения утечки между областью того же типа проводимости, что и подложка высоковольтного МОП-транзистора, и подложкой необходимо запереть паразитный МОП-транзистор, подав на затвор паразитного транзистора потенциал области того...

Номер патента: 4235

Опубликовано: 30.12.2001

Авторы: КИНЗЕР, Дэниел М.

МПК: H01L 29/772, H01L 21/235

Метки: способ, полевого, полупроводникового, моп-прибора, изготовления

Текст:

...в качестве теневой маски. На фиг. 13 изображена структура, показанная на фиг. 12, на которой проведены последующее удаление фоторезиста и металлизация структуры с выполнением усовершенствованной операции нанесения покрытия. На фиг. 14 изображено усовершенствование способа, при котором после операции, показанной на фиг. 3,формируют и -имплантант и Р-имплантант через отверстия, сформированные первой маской. На фиг. 15 изображена структура,...