Голубев Николай Федорович
Диод Шоттки
Номер патента: 18137
Опубликовано: 30.04.2014
Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Голубев Николай Федорович
МПК: H01L 29/872
Текст:
...РСЭ проходит через металлизацию анода и рассеивается через охранное кольцо и локальные области -типа проводимости. Наличие локальных областей -типа проводимости обуславливает дополнительные пути рассеивания импульса РСЭ и позволяет повысить устойчивость диода Шоттки к воздействию РСЭ. Увеличение выхода годных достигается благодаря выбору оптимальной концентрации областей -типа проводимости за счет снижения сопротивления и выравнивания...
Высоковольтный быстродействующий диод
Номер патента: 16468
Опубликовано: 30.10.2012
Авторы: Сарычев Олег Эрнстович, Дудкин Александр Иванович, Пуцята Владимир Михайлович, Голубев Николай Федорович, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: H01L 29/872, H01L 29/47
Метки: высоковольтный, диод, быстродействующий
Текст:
...функцию резистивной полевой обкладки, обеспечивающей равномерное распределение напряжения обратного смещения по площади структуры. При толщине слоя ППК менее 0,05 мкм ухудшается равномерность распределения напряжения обратного смещения, что приводит к уменьшению обратного напряжения. При толщине слоя ППК более 0,5 мкм в защитном диэлектрическом покрытии наблюдаются существенные внутренние механические напряжения, которые могут привести...
Диод Шоттки
Номер патента: 16184
Опубликовано: 30.08.2012
Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Голубев Николай Федорович, Василевский Юрий Георгиевич, Глухманчук Владимир Владимирович, Чиж Александр Леонидович, Блынский Виктор Иванович, Малышев Сергей Александрович
МПК: H01L 29/872
Текст:
...электрических импульсов за счет того, что выделение тепла в точках локального пробоя (приводящее к необратимым изменениям в полупроводнике и выходу из строя диода Шоттки или ухудшению его параметров) происходит одновременно во многих точках ОПЗ, распределенных по его объему, что уменьшает их локальный перегрев и обуславливает лучшие условия теплоотвода. Сущность изобретения поясняется на фигуре, где 1 - полупроводниковая подложка 2 -...
Диод Шоттки
Номер патента: 15400
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Сарычев Олег Эрнстович, Голубев Николай Федорович, Соловьев Ярослав Александрович, Высоцкий Виктор Борисович, Глухманчук Владимир Владимирович
МПК: H01L 29/47, H01L 29/872
Текст:
...поликристаллического кремния (ППК) в составе защитного диэлектрического покрытия выполняет функцию резистивной обкладки, обеспечивающей равномерное распределение напряжения обратного смещения по площади структуры. При толщине слоя ППК менее 0,05 мкм ухудшается равномерность распределения напряжения обратного смещения, что приводит к уменьшению обратного напряжения. При толщине слоя ППК более 0,5 мкм в защитном диэлектрическом покрытии...
Диод Шоттки
Номер патента: 14848
Опубликовано: 30.10.2011
Авторы: Кузик Сергей Владимирович, Голубев Николай Федорович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: H01L 29/47, H01L 29/872
Текст:
...кольца будет сравнительно большим, что не позволит заметно улучшить устойчивость диода Шоттки к воздействию статического электричества. Превышение произведения ширины охранного кольца на глубину его залегания более 80 мкм 2 не приводит к дальнейшим улучшениям, что экономически нецелесообразно. При отношении глубины охранного кольца к толщине эпитаксиального слоя в диапазоне от 0,16 до 0,32 обеспечивается равномерное протекание ударного...
Высоковольтный биполярный транзистор
Номер патента: 12019
Опубликовано: 30.06.2009
Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Голубев Николай Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович, Соловьев Ярослав Александрович
МПК: H01L 29/66, H01L 21/02
Метки: транзистор, биполярный, высоковольтный
Текст:
...до 0,2 мкм позволяет улучшить защитные свойства пассивирующего покрытия и компенсировать механические напряжения, возникающие на границе нитрид кремния - слой легкоплавкого стекла из-за разности их термических коэффициентов линейного расширения. В совокупности это обеспечивает дополнительное повышение выхода годных ВБТ. При толщине слоя нитрида кремния менее 0,05 мкм улучшение защитных свойств не достигается и компенсации механических...
Способ изготовления диода Шоттки
Номер патента: 10443
Опубликовано: 30.04.2008
Авторы: Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович, Голубев Николай Федорович
МПК: H01L 21/02, H01L 29/66
Метки: диода, шоттки, способ, изготовления
Текст:
...платины. При меньших значениях температуры термообработки и времени ее проведения не происходит полного перехода платины в силицид, что приводит к росту обратных токов, ухудшению качества и снижению выхода годных. При температуре термообработки более 575 С и времени термообработки более 60 мин наблюдаются рост обратных токов и снижение выхода годных диодов Шоттки, связанные с диффузией кислорода в слой силицида, диффузией никеля к границе...
Мощный биполярный транзистор
Номер патента: 6250
Опубликовано: 30.06.2004
Авторы: Голубев Николай Федорович, Рубцевич Иван Иванович, Ануфриев Леонид Петрович
МПК: H01L 29/73
Метки: мощный, транзистор, биполярный
Текст:
...к области базы сформированы в центре каждого окнаячейки (13) через окна в маске диэлектрического материала (8) и соединены полосовыми металлическими шинами (9) с общей металлической шиной (11) базы, омические контакты (7) к области эмиттера выполнены дискретно через окна в маске диэлектрического материала (8) в точках, одинаково удаленных от ближайших омических контактов (6) к области базы, и соединены полосовыми металлическими шинами (10) с...
Мощный биполярный транзистор, устойчивый к обратному вторичному пробою
Номер патента: 4014
Опубликовано: 30.09.2001
Авторы: Дударчик Анатолий Иванович, Голубев Николай Федорович, Рубцевич Иван Иванович, Матюшевский Анатолий Петрович, Ануфриев Леонид Петрович
МПК: H01L 29/72
Метки: транзистор, мощный, пробою, биполярный, обратному, вторичному, устойчивый
Текст:
...первого типа, базовую область с проводимостью второго типа, противоположного первому, примыкающую к коллекторной области с образованием - перехода база-коллектор, эмиттерную область с проводимостью первого типа, примыкающую к базовой области с образованием - перехода база-эмиттер, коллекторная область, примыкающая к планарной поверхности кристалла и базовой области, дополнительно легирована примесью первого типа проводимости на глубину,...