Колос Владимир Владимирович

Номер патента: 17953

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Трусов Виктор Леонидович, Солодуха Виталий Александрович, Колос Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/44, B08B 7/00

Метки: пленки, производства, титана, формирования, микросхем, силицида, способ, интегральных

Текст:

...характеристик нагреваемого материала, а именно соотношения коэффициентов отражения, поглощения и пропускания материала в спектральном диапазоне источника излучения. Таким образом, температура тел, находящихся в реакторе быстрой термической обработки, различается. В этом случае, контроль температуры полупроводниковой пластины с помощью термопары, располагающейся в реакторе, не дает адекватных результатов. Для контроля температуры...

Номер патента: 16839

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Адашкевич Сергей Владимирович, Стельмах Вячеслав Фомич, Турцевич Аркадий Степанович, Чапланов Аркадий Михайлович, Колос Владимир Владимирович, Маркевич Мария Ивановна

МПК: H01L 21/02, C23C 14/16

Метки: способ, пленки, подложке, дисилицида, титана, формирования, кремниевой

Текст:

...сжатия более 1 ГПА, а при температурах более 450 С - напряжения растяжения более 1 ГПА, что ухудшает адгезию пленок титана и приводит к формированию дефектов в структуре кремния. В случае выдержки при температуре напыления титана менее 12 с процессы поверхностной диффузии осажденных атомов (кластеров) пленки титана и уменьшения энергии поверхностных состояний остаются незавершенными, что приводит к последующему взаимодействию пленки титана с...

Номер патента: U 8344

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Стельмах Вячеслав Фомич, Маркевич Мария Ивановна, Чапланов Аркадий Михайлович, Адашкевич Сергей Владимирович, Колос Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/44

Метки: пленки, титана, устройство, кремниевой, формирования, дисилицида, подложке

Текст:

...свойств пленки титана 2 совмещен с блоком перемещения кремниевой подложки 18. Устройство формирования пленки дисилицида титана на кремниевой подложке(фиг. 1) работает следующим образом. Кремниевая подложка через элемент загрузки 13 поступает в блок нанесения пленки титана 1, где осуществляется, как в известном устройстве 3, операция нанесения на поверхность кремниевой подложки пленки титана, например, способом магнетронного напыления,...

Номер патента: 16070

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Колос Владимир Владимирович, Адашкевич Сергей Владимирович, Емельяненко Юрий Савельевич, Чапланов Аркадий Михайлович, Маркевич Мария Ивановна, Стельмах Вячеслав Фомич

МПК: H01L 31/00

Метки: фотодиод

Текст:

...С 49. Из фигуры видно, что слой полупроводника 1 расположен на кремниевой подложке 2. На внешней стороне слоя полупроводника 1 расположен прозрачный металлический электрод 3, например, на основе тонкой (10 нм) пленки золота, образующей с ней выпрямляющий переход, а между второй стороной слоя полупро 2 16070 1 2012.06.30 водника 1 и кремниевой подложкой 2 расположен второй электрод 4, например, на основе приповерхностного слоя кремниевой...

Номер патента: U 7146

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Маркевич Мария Ивановна, Стельмах Вячеслав Фомич, Емельяненко Юрий Савельевич, Адашкевич Сергей Владимирович, Чапланов Аркадий Михайлович, Колос Владимир Владимирович

МПК: H01L 31/10

Метки: фотодиод

Текст:

...субмикронными размерами элементов. Это обеспечивает возможность использования обнаруженных полупроводниковых свойств, в том числе свойства фотопроводимости, в хорошо отработанных режимах и на оборудовании, используемом в современной электронной промышленности. Сущность заявляемого технического решения поясняется на фиг. 1, где схематически представлена структура варианта фотодиода, использующего слой полупроводника толщиной 70 нм на основе...