C23C 14/16 — на металлическую подложку или на подложку из бора или кремния

Номер патента: 18283

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Керенцев Анатолий Федорович, Подковщиков Николай Николаевич, Дудкин Александр Иванович

МПК: C23C 14/16, H01L 21/58

Метки: стороны, металлизации, способ, прибора, полупроводникового, формирования, обратной, кристалла

Текст:

...и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество эвтектики золото-кремний, что приводит к снижению качества присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине слоя...

Номер патента: 18282

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Дудкин Александр Иванович, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: металлизация, обратной, стороны, прибора, полупроводникового, кристалла

Текст:

...задачи объясняется следующим образом. Использование ванадия в качестве адгезионного слоя обеспечивает адгезию золота к кремнию с минимальным образованием возможных окисных прослоек, что способствует более эффективному диффузионному проникновению кремния в слой золота. Это приводит к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Выполнение слоя золота...

Номер патента: 18281

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Дудкин Александр Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович

МПК: C23C 14/16, H01L 21/58

Метки: прибора, способ, кристаллодержателю, полупроводникового, кремниевого, кристалла, присоединения

Текст:

...золота. Это приведет к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество...

Номер патента: 16839

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Колос Владимир Владимирович, Чапланов Аркадий Михайлович, Маркевич Мария Ивановна, Адашкевич Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Стельмах Вячеслав Фомич

МПК: H01L 21/02, C23C 14/16

Метки: формирования, пленки, подложке, титана, дисилицида, способ, кремниевой

Текст:

...сжатия более 1 ГПА, а при температурах более 450 С - напряжения растяжения более 1 ГПА, что ухудшает адгезию пленок титана и приводит к формированию дефектов в структуре кремния. В случае выдержки при температуре напыления титана менее 12 с процессы поверхностной диффузии осажденных атомов (кластеров) пленки титана и уменьшения энергии поверхностных состояний остаются незавершенными, что приводит к последующему взаимодействию пленки титана с...

Номер патента: 12984

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Мойсейчик Анатолий Николаевич, Андреев Михаил Анатольевич, Тарусов Игорь Николаевич, Маркова Людмила Владимировна

МПК: C23C 14/16

Метки: триботехническими, способ, покрытия, свойствами, формирования

Текст:

...с учетом материала, из которого изготовлена деталь, подлежащая обработке. Например, если деталь изготовлена из титанового сплава, то основу порошковой мишени составляет титан или его сплав и т.п. Таким образом, реализуется высокая адгезия твердосмазочного покрытия к поверхности детали, что обеспечивает ее длительную эксплуатацию. Сущность способа поясняется примером. Для выделения влияния добавки дисульфида молибдена в мишень для распыления...

Номер патента: 5421

Опубликовано: 30.09.2003

Авторы: Садхиндра Бхарат САНТ, Лэрри Рой МОРРИС, Роберт Эдвард БАРРЕЛЛ, Катрин Лаури МАКИНТОШ, Родерик Джон ПРИХТ, Кашмир Сингх ДЖИЛЛ, Прасад Шрикришна АПТЕ

МПК: A01N 59/16, C23C 14/14, A61L 31/08...

Метки: материал, материала, получения, способ, антимикробного, тонкозернистый, антимикробный

Текст:

...по п. 21, отличающийся тем, что величина отношения температуры его рекристаллизации к температуре его плавления, в градусах Кельвина (Т рек./Т пп.), составляет менее 0,3.23. Материал по п. 21, отличающийся тем, что имеет температуру рекристаллизации менее 140 С.24. Материал по п. 23, отличающийся тем, что имеет размер частиц менее 200 нм.25. Материал по п. 23, отличающийся тем, что имеет размер частиц менее 140 нм.26. Материал по п. 23,...