Патенты с меткой «монокристаллического»

Номер патента: 18135

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/66, G01N 21/88

Метки: качества, кремния, поверхности, пластины, контроля, способ, монокристаллического

Текст:

...газофазного химического осаждения пленку диоксида кремния (2) толщиной 1-2 мкм, удаляют часть осажденной пленки диоксида кремния до толщины 0,3-0,6 мкм методом химико-механической планаризации(ХМП), осуществляют визуальный контроль пластины и по полученной цветовой интерференционной картине на поверхности пластины судят о качества ее поверхности. Заявляемый способ отличается от известного тем, что он позволяет одновременно...

Номер патента: 17952

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Изотов Александр Дмитриевич, Шёлковая Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович, Малышев Максим Леонидович, Маренкин Сергей Федорович

МПК: C01G 45/00, C30B 21/02, C30B 29/10...

Метки: монокристаллического, получения, антимонида, марганца, способ

Текст:

...размер монокристаллов ,диаметр которых уменьшается с ростом скорости кристаллизации от 20 до 0,5 мкм. Длина монокристаллов наоборот увеличивается от 100 до 300 мкм. Полученный таким образом направленно закристаллизованный сплав после охлаждения печи извлекают из ампулы и подвергают магнитной сепарации с целью извлечения ферромагнитных монокристаллов антимонида марганца. На дифракционной картине скола (фиг. 1) видно, что эвтектическая...

Номер патента: 17212

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Бондаренко Виталий Парфирович, Чубенко Евгений Борисович, Клышко Алексей Александрович

МПК: C25D 9/08, C30B 29/10, H01L 21/02...

Метки: способ, кремния, монокристаллического, полупроводниковых, aііbvі, пленок, групп, формирования, aіvbvі, подложках, или, соединений, бинарных

Текст:

...Для улучшения равномерности осаждения и повышения планарности пленок полупроводниковых соединений на пористый кремний методом катодного электрохимического осаждения может быть нанесен тонкий слой металла толщиной 0,01-0,5 мкм. Наличие тонкого слоя металла на поверхности пористого кремния приводит к повышению эквипотенциальности и равномерности распределения катодного тока в процессе осаждения. В качестве таких металлов могут быть...

Номер патента: 10513

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Гайшун Владимир Евгеньевич, Косенок Янина Александровна, Мельниченко Игорь Михайлович, Тюленкова Ольга Ивановна

МПК: C09G 1/00

Метки: шлифовки, основе, пластин, алюминия, монокристаллического, оксида, стабилизирующая, суспензий, кремния, абразивных, добавка

Текст:

...и эксплутационных характеристик абразивной суспензии. Известен также состав, включающий в себя глицерин, дистиллированную воду, карбоксиполиметилен и триэтаноламин 3. Однако данный состав не обеспечивает необходимое качество шлифования пластин монокристаллического кремния, поскольку содержит до 25 глицерина. Заявляемое изобретение решает задачу получения высокоэффективной стабилизирующей добавки для абразивной суспензии на...

Номер патента: 10304

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Фекешгази Иштван Винцеевич, Мица Александр Владимирович, Шелег Александр Устинович, Трухан Владимир Михайлович, Голякевич Татьяна Васильевна

МПК: G02B 5/28, G02B 1/10

Метки: модификации, двухкомпонентное, ахроматическое, дифосфида, покрытие, монокристаллического, тетрагональной, просветляющее, оптического, кадмия, элемента

Текст:

...луча и от 3,35 до 3,00 для необыкновенного луча, которая обеспечила повышение пропускания оптических элементов из 2(т) до уровня свыше 99,90 в диапазоне от 550 до 1100 нм. Ахроматическое двухкомпонентное просветляющее покрытие для оптического элемента из монокристаллического дифосфида кадмия тетрагональной модификации, содержащее четыре чередующихся слоя с низким и высоким показателями преломления из диоксида кремния и диоксида циркония...