Хмыль Александр Александрович

Конденсатор для интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: U 9178

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Алиева Наталья Васильевна, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Трусов Виктор Леонидович, Емельянов Виктор Андреевич, Шикуло Владимир Евгеньевич, Хмыль Александр Александрович

МПК: H01L 29/94

Метки: интегральных, микросхем, конденсатор

Текст:

...конденсатора и максимально возможную релаксацию механических напряжений. За счет этого резко снижается дефектность многослойного конденсаторного диэлектрика в целом и повышается воспроизводимость его характеристик. Мягкий пробой конденсаторного диэлектрика исчезает, емкость формируемого конденсатора стабилизируется. В итоге это позволяет уменьшить толщину диэлектрика и уменьшить площадь, занимаемую конденсатором, а также повысить выход...

Электролит оловянирования

Загрузка...

Номер патента: 4574

Опубликовано: 30.09.2002

Авторы: Хмыль Александр Александрович, Кушнер Лариса Константиновна, Резникова Людмила Геннадьевна, Новикова Людмила Николаевна

МПК: C25D 3/32

Метки: оловянирования, электролит

Текст:

...Изобретение может быть проиллюстрировано следующими примерами, сведенными в таблицу (табл. 1). 2 4574 1 Таблица 1 Компоненты и свойства электролита 1 прот. 2 Олово сернокислое 40 40 Кислота серная 100 100 Препарат ОС-20 4 4 Кислота сульфосалициловая 0,4 Натриевая соль нафталин-20,01 сульфокислоты Йодид триметилцетиламмония 0,005 рН 1 1 Температура,18-25 18-25 Перемешивание, об/мин Диапазон рабочих плотностей 0,1-1 0,1-3 тока, А/дм 2 Выход...

Способ нанесения покрытий на основе серебра

Загрузка...

Номер патента: 4205

Опубликовано: 30.12.2001

Авторы: Губаревич Татьяна Михайловна, Кушнер Лариса Константиновна, Хмыль Александр Александрович, Корженевский Александр Павлович, Достанко Анатолий Павлович

МПК: C25D 15/00, C25D 3/46

Метки: серебра, способ, покрытий, основе, нанесения

Текст:

...УДА служит местом концентрирования примесных атомов, что повышает чистоту собственно серебра и, следовательно, электропроводность получаемого КЭП. Введение в нецианистые электролиты серебрения ультрадисперсного алмаза в заявляемом соотношении с осаждаемым металлом приводит к получению высокотвердых осадков. В зависимости от режима электролиза, состава и типа нецианидного электролита микротвердость КЭП возрастает на 200-700 МПа по...

Способ нанесения никелевых покрытий

Загрузка...

Номер патента: 3088

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Резникова Людмила Геннадьевна, Хмыль Александр Александрович, Анисимович Василий Григорьевич, Достанко Анатолий Павлович

МПК: C25D 5/12, C25D 5/40

Метки: способ, нанесения, покрытий, никелевых

Текст:

...вокруг нее устойчивую парогазовую оболочку, которая отделяет анод от отрицательно заряженного электролита. Между анодом и электролитом создается сильное электрическое поле, которое вызывает ионизацию молекул и пробой парогазовой оболочки. Электрический ток воздействует на поверхность металла, подвергая ее эрозионной полировке. Под действием высокой температуры и интенсивно протекающих химических и электрохимических реакций происходит...

Способ ультразвуковой сварки

Загрузка...

Номер патента: 2339

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Седаев Владимир Павлович, Ларин Владимир Леонидович, Емельянов Виктор Андреевич, Хмыль Александр Александрович

МПК: B23K 20/10

Метки: ультразвуковой, сварки, способ

Текст:

...этом опреде- 35ЛЯТЬСЯ ИЗ ВЫРЗЖЕННЯ Пгде В коэффидиент диффузии металла ос 403 градиент КОНЦЕНТРЗЦНН металла П подвижность атомов металла под действием электрического тока 1 величина тока г УДЕЛЬНОЗ ЭЛЕКТРИческое сопротивление металла С 45КОНЦЕНТРЗЦНН ИОНОВ металла В ЗОНЕ СОЕДИНЕНИЯ.//диффуэионноподвнжного металла в сое динении приводит к увеличению прочное-50 ти микросварных соединений, посколь Редактор П.Зубкова Заказ 389/ДСПку...

Электропреобразователь для гальванотехнологии

Загрузка...

Номер патента: 2032

Опубликовано: 30.03.1998

Авторы: Саковец Сергей Иванович, Куценко Владимир Михайлович, Хмыль Александр Александрович, Емельянов Виктор Андреевич, Крупень Павел Николаевич

МПК: C25D 21/12

Метки: электропреобразователь, гальванотехнологии

Текст:

...вторым входом второго компаратора 33, а второй вход первого 32 компаратора - с первым входом второго компаратора 33. Выход первого 32 компаратора соединен с входом первого элемента И 34, а выход второго компаратора 33 - с входом второго элемента И 35. Выходы элементов 34 и 35 подключены соответственно к первым входам усилителей 36 и 37 и входам ждущих мультивибраторов 38 и 39, выходы которых, в свою очередь, соединены с входами формирователей...

Способ нанесения гальванических покрытий

Загрузка...

Номер патента: 1366

Опубликовано: 16.09.1996

Авторы: Саковец Сергей Иванович, Шапчиц Алесь Владимирович, Хмыль Александр Александрович

МПК: C25D 5/18

Метки: покрытий, способ, гальванических, нанесения

Текст:

...правого положения, начнет двигаться в обратном направлении и не пересечет линию, находящуюся на равном расстоянии между анодами ( Фиг. 1, Фаза 2 ). В момент пересечения катодом этой линии меняется полярность на противоположную между катодом и анодом 1, катодом и анодом 2 (Фиг.1, фаза 3). Переключе З ние полярности источников питания электродов в любой другой момент приводит к снижени положительного эффекта в равномерности покрытия. Далее...