Шикуло Владимир Евгеньевич
Способ изготовления кремниевой интегральной микросхемы
Номер патента: 18136
Опубликовано: 30.04.2014
Авторы: Малый Игорь Васильевич, Наливайко Олег Юрьевич, Солодуха Виталий Александрович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Турцевич Аркадий Степанович, Ефименко Сергей Афанасьевич
МПК: H01L 27/04, H01L 21/77
Метки: микросхемы, изготовления, кремниевой, способ, интегральной
Текст:
...при низкой температуре (450 С). Для достижения требуемого результата отжиг может повторяться несколько раз, что приводит к увеличению цикла изготовления интегральной микросхемы. 3 18136 1 2014.04.30 В основу изобретения положено решение задачи повышения коэффициента усиления горизонтального транзистора на малых токах, повышения стабильности электрических параметров и увеличения процента выхода годных микросхем. Сущность изобретения заключается...
Система определения оптимального давления плазмообразующей среды для проведения процессов СВЧ плазмохимической обработки
Номер патента: U 9421
Опубликовано: 30.08.2013
Авторы: Мадвейко Сергей Игоревич, Бордусов Сергей Валентинович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Достанко Анатолий Павлович, Цивако Алексей Александрович, Полыко Валерий Владимирович
МПК: H05H 1/00
Метки: плазмохимической, оптимального, процессов, проведения, давления, плазмообразующей, определения, свч, система, обработки, среды
Текст:
...зависимости для процесса удаления фоторезистивных покрытий с поверхности кремниевых подложек в атмосфере 2. Результаты исследований были положены в основу разработанной системы определения оптимального давления плазмообразующей среды для проведения процессов СВЧ плазмохимической обработки материалов. Аналоги описываемой полезной модели представлены в 3, 4, 5. По своей технической сущности и достигаемому техническому результату к...
Полевой транзистор с плавающим затвором
Номер патента: U 9208
Опубликовано: 30.06.2013
Авторы: Трусов Виктор Леонидович, Емельянов Антон Викторович, Алиева Наталья Васильевна, Шикуло Владимир Евгеньевич, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 29/788
Метки: транзистор, затвором, полевой, плавающим
Текст:
...вовсе не присущи 6. Несмотря на небольшое различие в значении коэффициентов линейного термического расширения (клтр) 34 и кремния (3,410-6 -1 для 34 5 и 3,7210-6 -1 для 6), использование высоких температур при изготовлении ИС и отсутствие полиморфных превращений 34 приводят к возникновению высоких механических напряжений на границах раздела слоев. В связи с этим заявляемое техническое решение предусматривает использование тонких...
Конденсатор для интегральных микросхем
Номер патента: U 9178
Опубликовано: 30.04.2013
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Трусов Виктор Леонидович, Алиева Наталья Васильевна, Шикуло Владимир Евгеньевич, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Хмыль Александр Александрович
МПК: H01L 29/94
Метки: микросхем, интегральных, конденсатор
Текст:
...конденсатора и максимально возможную релаксацию механических напряжений. За счет этого резко снижается дефектность многослойного конденсаторного диэлектрика в целом и повышается воспроизводимость его характеристик. Мягкий пробой конденсаторного диэлектрика исчезает, емкость формируемого конденсатора стабилизируется. В итоге это позволяет уменьшить толщину диэлектрика и уменьшить площадь, занимаемую конденсатором, а также повысить выход...
Состав для удаления полимерных загрязнений с поверхности кремния
Номер патента: 16473
Опубликовано: 30.10.2012
Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Шикуло Владимир Евгеньевич
МПК: H01L 21/306
Метки: состав, кремния, загрязнений, полимерных, удаления, поверхности
Текст:
...сильным основанием, бурно реагирует с кислотами. Температура кипения (25 -ный раствор) 38 С. Температура плавления (25 -ный раствор) 58 С. Относительная плотность (вода 1) 0,9 (25 -ный раствор). Растворимость в воде смешивается в любых соотношениях. Давление паров при 20 С (25 -ный раствор)48 кПа. Относительная плотность пара (воздух 1) 0,6-1,2. Выпускается промышленностью на соответствие ГОСТ 24147-80 в виде 25 -ного раствора (квалификация...
Состав для удаления металло-кремнийорганических полимерных остатков при изготовлении кремниевых интегральных микросхем
Номер патента: 9536
Опубликовано: 30.08.2007
Авторы: Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич, Шикуло Владимир Евгеньевич, Плебанович Владимир Иванович
МПК: H01L 21/70, C11D 7/60
Метки: удаления, металло-кремнийорганических, интегральных, изготовлении, остатков, микросхем, состав, полимерных, кремниевых
Текст:
...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...
Фильтрующее устройство
Номер патента: U 1983
Опубликовано: 30.06.2005
Авторы: Селькин Владимир Петрович, Плескачевский Юрий Михайлович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Станкевич Виктор Михайлович, Гракович Петр Николаевич
МПК: B01D 29/05
Метки: фильтрующее, устройство
Текст:
...элементом и выходным отверстием напротив выходного отверстия, согласно полезной модели, опорный перфорированный диск содержит неперфорированный участок, расположенный напротив выходного отверстия, причем проекция перфорированного участка на плоскость, на которой расположено выходное отверстие, перекрывает площадь выходного отверстия, кроме того, входное и выходное отверстия располагают на одной оси.На фиг. 1 изображено фильтрующее...