H01L 33/20 — с особенной формой, например искривленной или усеченной подложкой

Номер патента: 16935

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 33/20

Метки: гетеропереходного, изготовления, светодиода, способ

Текст:

...к -слою из узкозонного полупроводника. Средняя скорость формирования металлического слоя составляет 100200 /с, а температура нагрева основания составляет 300350 С. Стравливают плоскую поверхность полупроводникового основания р-типа методом ионно-плазменного травления для получения бездефектной структуры и удаления окисной пленки и инородной поверхностной примеси. Скорость травления составляет 3040 /с, а температура процесса 300400 С....

Номер патента: 16464

Опубликовано: 30.10.2012

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 33/20

Метки: гетеропереходный, светодиод

Текст:

...1 второй гетеропереход, то есть сформирована двойная-, -гетероструктурой. Полупроводниковое основаниетипа 1, -слой 2 собственного полупроводника и-слой 3 выполнены из полупроводников, обладающих большой подвижностью носителей заряда, большой диффузионной дли 2 16464 1 2012.10.30 ной, низкой концентрацией собственных носителей заряда. Толщина -слоя 2 определяется стопроцентной рекомбинацией инжектированных в его область через...