Чапланов Аркадий Михайлович
Способ формирования пленки дисилицида титана на кремниевой подложке
Номер патента: 16839
Опубликовано: 28.02.2013
Авторы: Стельмах Вячеслав Фомич, Чапланов Аркадий Михайлович, Адашкевич Сергей Владимирович, Маркевич Мария Ивановна, Турцевич Аркадий Степанович, Колос Владимир Владимирович
МПК: H01L 21/02, C23C 14/16
Метки: титана, формирования, дисилицида, подложке, пленки, способ, кремниевой
Текст:
...сжатия более 1 ГПА, а при температурах более 450 С - напряжения растяжения более 1 ГПА, что ухудшает адгезию пленок титана и приводит к формированию дефектов в структуре кремния. В случае выдержки при температуре напыления титана менее 12 с процессы поверхностной диффузии осажденных атомов (кластеров) пленки титана и уменьшения энергии поверхностных состояний остаются незавершенными, что приводит к последующему взаимодействию пленки титана с...
Устройство для формирования пленки дисилицида титана на кремниевой подложке
Номер патента: U 8344
Опубликовано: 30.06.2012
Авторы: Адашкевич Сергей Владимирович, Маркевич Мария Ивановна, Колос Владимир Владимирович, Стельмах Вячеслав Фомич, Чапланов Аркадий Михайлович
МПК: H01L 21/44
Метки: устройство, кремниевой, дисилицида, титана, пленки, подложке, формирования
Текст:
...свойств пленки титана 2 совмещен с блоком перемещения кремниевой подложки 18. Устройство формирования пленки дисилицида титана на кремниевой подложке(фиг. 1) работает следующим образом. Кремниевая подложка через элемент загрузки 13 поступает в блок нанесения пленки титана 1, где осуществляется, как в известном устройстве 3, операция нанесения на поверхность кремниевой подложки пленки титана, например, способом магнетронного напыления,...
Фотодиод
Номер патента: 16070
Опубликовано: 30.06.2012
Авторы: Адашкевич Сергей Владимирович, Стельмах Вячеслав Фомич, Маркевич Мария Ивановна, Чапланов Аркадий Михайлович, Колос Владимир Владимирович, Емельяненко Юрий Савельевич
МПК: H01L 31/00
Метки: фотодиод
Текст:
...С 49. Из фигуры видно, что слой полупроводника 1 расположен на кремниевой подложке 2. На внешней стороне слоя полупроводника 1 расположен прозрачный металлический электрод 3, например, на основе тонкой (10 нм) пленки золота, образующей с ней выпрямляющий переход, а между второй стороной слоя полупро 2 16070 1 2012.06.30 водника 1 и кремниевой подложкой 2 расположен второй электрод 4, например, на основе приповерхностного слоя кремниевой...
Фотодиод
Номер патента: U 7146
Опубликовано: 30.04.2011
Авторы: Стельмах Вячеслав Фомич, Адашкевич Сергей Владимирович, Емельяненко Юрий Савельевич, Колос Владимир Владимирович, Чапланов Аркадий Михайлович, Маркевич Мария Ивановна
МПК: H01L 31/10
Метки: фотодиод
Текст:
...субмикронными размерами элементов. Это обеспечивает возможность использования обнаруженных полупроводниковых свойств, в том числе свойства фотопроводимости, в хорошо отработанных режимах и на оборудовании, используемом в современной электронной промышленности. Сущность заявляемого технического решения поясняется на фиг. 1, где схематически представлена структура варианта фотодиода, использующего слой полупроводника толщиной 70 нм на основе...