Патенты с меткой «aііbvі»
Способ формирования пленок бинарных полупроводниковых соединений групп AІІBVІ или AІVBVІ на подложках из монокристаллического кремния
Номер патента: 17212
Опубликовано: 30.06.2013
Авторы: Чубенко Евгений Борисович, Клышко Алексей Александрович, Бондаренко Виталий Парфирович
МПК: C30B 29/10, H01L 21/02, C25D 9/08...
Метки: aіvbvі, формирования, подложках, aііbvі, соединений, или, способ, групп, бинарных, пленок, монокристаллического, кремния, полупроводниковых
Текст:
...Для улучшения равномерности осаждения и повышения планарности пленок полупроводниковых соединений на пористый кремний методом катодного электрохимического осаждения может быть нанесен тонкий слой металла толщиной 0,01-0,5 мкм. Наличие тонкого слоя металла на поверхности пористого кремния приводит к повышению эквипотенциальности и равномерности распределения катодного тока в процессе осаждения. В качестве таких металлов могут быть...