Петлицкий Александр Николаевич
Способ определения времени наработки на отказ подзатворного диэлектрика МДП-микросхемы
Номер патента: 17531
Опубликовано: 30.10.2013
Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Филипеня Виктор Анатольевич, Чигирь Григорий Григорьевич, Петлицкий Александр Николаевич
МПК: H01L 21/66, G01R 31/28
Метки: наработки, способ, диэлектрика, времени, мдп-микросхемы, отказ, определения, подзатворного
Текст:
...не протекает через диэлектрик и не создает вклада в деградацию диэлектрика, что приводит к увеличению погрешности измерений. С уменьшением длительности импульса величина погрешности возрастает, и при длительности импульса менее 5 мс точность измерений становится недопустимо низкой при использовании длительности импульса более 50 мс существенно возрастает время испытаний и нарушается экспрессность контроля. Время испытаний увеличивается до...
Полупроводниковая кремниевая пластина
Номер патента: 16227
Опубликовано: 30.08.2012
Авторы: Петлицкий Александр Николаевич, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович
МПК: H01L 21/322
Метки: кремниевая, полупроводниковая, пластина
Текст:
...пленке а- препятствуют эпитаксиальной рекристаллизации поли- и способствуют уменьшению размеров его зерен. В результате суммарная площадь межзеренных границ, определяющая эффективность геттерирования, возрастает. Использование промежуточного слоя - в составе заявляемой пластины позволяет увеличить толщину исходного слоя оксида кремния до 2,5 нм, что обеспечивает возможность проведения ее химической отмывки в процессе изготовления, делает...
Способ изготовления полупроводниковой пластины кремния
Номер патента: 16226
Опубликовано: 30.08.2012
Авторы: Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Виктор Андреевич, Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович
МПК: H01L 21/322
Метки: пластины, полупроводниковой, изготовления, кремния, способ
Текст:
...аморфного кремния и поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с образованием барьерного слоя, легко проницаемого для неконтролируемых примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых...
Геттерирующее покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин
Номер патента: 15745
Опубликовано: 30.04.2012
Авторы: Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01L 21/322
Метки: покрытие, полупроводниковых, кремниевых, геттерирующее, пластин
Текст:
...еще большим количеством ненасыщенных химических связей. Поэтому присутствие такого слоя между оксидом и поликристаллическим кремнием не снижает эффективность геттерирования. Наличие водорода в его составе приводит к возникновению химического взаимодействия между 2 и - с образованием высокоподвижных функциональных групп -. Эти группы диффундируют вглубь - и далее в поли-, что приводит к уменьшению толщины 2 от 2,5 нм до значений не более...
Способ формирования геттерирующего покрытия для полупроводниковых кремниевых пластин
Номер патента: 15321
Опубликовано: 28.02.2012
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Петлицкий Александр Николаевич, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: C23C 16/22, H01L 21/322
Метки: геттерирующего, кремниевых, способ, полупроводниковых, пластин, покрытия, формирования
Текст:
...перед нанесением слоя поликристаллического кремния дополнительно проводят осаждение пленки гидрогенизированного аморфного кремния толщиной 10-100 нм а также тем, что осаждение пленок гидрогенизированного аморфного кремния и слоя поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с...
Полупроводниковая кремниевая пластина
Номер патента: U 6967
Опубликовано: 28.02.2011
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич, Гордиенко Анатолий Илларионович
МПК: H01L 23/00
Метки: пластина, кремниевая, полупроводниковая
Текст:
...между 2 и - с образованием высокоподвижных функциональных групп -ОН. Эти группы диффундируют вглубь - и далее в поли-, что приводит к уменьшению толщины 2 от 25 до нескольких ангстрем. Слой 2 толщиной несколько ангстрем, как и в случае прототипа, уже не является 3 69672011.02.28 препятствием для диффузии неконтролируемых примесей из объема кремниевой подложки в поликристаллическую пленку. Наличие групп - в объеме пленок - и...
Геттерирующее покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин
Номер патента: U 6966
Опубликовано: 28.02.2011
Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Петлицкий Александр Николаевич, Гордиенко Анатолий Илларионович
МПК: H01L 21/02
Метки: кремниевых, геттерирующее, пластин, покрытие, полупроводниковых
Текст:
...примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых примесей, поскольку характеризуется еще большим количеством ненасыщенных химических связей. Поэтому присутствие такого слоя между оксидом и поликристаллическим кремнием не снижает эффективность геттерирования. Наличие водорода в его составе приводит к возникновению химического взаимодействия...