Корзун Борис Васильевич

Номер патента: 18174

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Мянзелен Руслан Равильевич, Корзун Борис Васильевич, Соболь Валерий Романович, Шелег Александр Устинович

МПК: C30B 29/46

Метки: получения, соединения, способ, cual5s8

Текст:

...состоящую из химических элементов меди, алюминия и серы, для предотвращения взаимодействия алюминия с материалом ампулы загружали в тигель из нитрида бора и помещали его в кварцевой ампуле. После загрузки ампулу вакуумировали, запаивали и размещали в вертикальную печь сопротивления, изготовленную таким образом,что на ее протяжении существует температурный градиент более 20 и не более 30 /см. После этого с целью получения однородного...

Номер патента: 17457

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Желудкевич Александр Ларионович, Корзун Борис Васильевич, Олехнович Николай Михайлович, Пушкарев Анатолий Васильевич

МПК: C30B 29/46, H01L 31/18

Метки: растворов, способ, полупроводниковых, твердых, получения

Текст:

...твердых растворов на основе тройных соединений 2 и 2 заключается в следующем. Вначале подготавливают шихту заданного состава с 00,15 из предварительно полученных тройных соединений 2 и 2. Шихту гомогенизируют в шаровой мельнице. После этого шихту запрессовывают в таблетки, помещают в камеру высокого давления и подвергают термобарической обработке в течение 3-20 мин при давлении 4-6 ГПа и температуре 9701270 . Далее таблетки извлекают из...

Номер патента: 16032

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Корзун Борис Васильевич, Шелег Александр Устинович, Желудкевич Александр Ларионович

МПК: C30B 29/46

Метки: полупроводниковый, материал

Текст:

...определяли по знаку термо-э.д.с. Примеры конкретного получения нового полупроводникового материала. Пример 1. Для получения нового полупроводникового материала 1-1,99-(1-) с атомарной долей галлия 0,20 и недостатком серы 0,05, что соответствует составу 0,200,801,95, в кварцевую ампулу внутренним диаметром 28 мм и длиной 160 мм загружали шихту, содержащую механическую смесь химических элементов, ат. доля -0,2532,- 0,0506,- 0,2025,- 0,4937....

Номер патента: 14710

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Корзун Борис Васильевич, Шелег Александр Устинович, Соболь Валерий Романович, Фадеева Елена Александровна

МПК: C01B 19/00, C30B 29/46

Метки: соединения, cualte2, способ, структурой, получения, халькопирита, полупроводникового

Текст:

...2 происходит в результате гетерогенной реакции между твердой фазой состава (2)0,97(23)0,03(первичные выпавшие кристаллы) и жидкостью состава (2)0,40(23)0,60 2. Учитывая, что такие реакции протекают очень медленно, то для получения гомогенных образцов соединения со структурой халькопирита 2 необходимо использовать высокие температуры (1000 К) и длительное время отжига (10 суток). Задачей настоящего изобретения является сокращение времени...

Номер патента: 12467

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Соболь Валерий Романович, Волчик Татьяна Владимировна, Корзун Борис Васильевич, Шелег Александр Устинович

МПК: C30B 29/10, C04B 35/26, C01G 29/00...

Метки: получения, способ, висмута, феррита

Текст:

...(состав 1,740,263). При дальнейшем охлаждении кристаллизация 3 идет без перитектического превращения, хотя и с незначительным отклонением от стехиометрического состава 3. Примеры конкретного применения способа получения феррита висмута. Пример 1 Рассчитывали, взвешивали и гомогенизировали навеску общей массой 20 г, необходимую для получения феррита висмута, исходя из того, что шихта содержит оксиды 23 и 23 в соотношении, соответствующем...

Номер патента: 12040

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Волчик Татьяна Владимировна, Корзун Борис Васильевич, Соболь Валерий Романович

МПК: C04B 35/26, C30B 29/10, C01G 29/00...

Метки: висмута, шихта, получения, феррита

Текст:

...превращения, что и обеспечивает получение образцов феррита висмута гомогенного состава. Примеры конкретного использования шихты для получения феррита висмута. Пример 1. Рассчитывали, взвешивали и гомогенизировали навеску общей массой 20 г, необходимую для синтеза феррита висмута, исходя из того, что шихта содержит оксиды 23 и 23 в соотношении, соответствующем формуле 2(1-)23 с 0,13 (состав 1,740,263). Навеску, состоящую из оксидов висмута и...

Номер патента: 11882

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Соболь Валерий Романович, Волчик Татьяна Владимировна, Корзун Борис Васильевич

МПК: B22F 3/10, C04B 35/26, C01G 29/00...

Метки: висмута, способ, феррита, получения

Текст:

...превышающих температуру перехода из моноклинной в гексагональную модификацию 23 (первая стадия), и при температурах, превышающих температуру перехода из гексагональной в кубическую модификацию 23 (вторая стадия). Предложен способ получения чистого феррита висмута следующим образом. Предварительно гомогенизированную смесь исходных оксидов 23 и 23, взятых в стехиометрическом соотношении, располагают в уже выведенную на температурный...

Номер патента: 11152

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Фадеева Елена Александровна, Корзун Борис Васильевич

МПК: C01B 17/00, C01F 7/00, C01G 3/12...

Метки: полупроводникового, шихта, соединения, синтеза, cual5s8

Текст:

...синтеза полупроводникового соединения 58 в отличие от известной шихты и прототипа содержит химические элементы в соотношении, соответствующем формуле 0,0417 - 0,01710,37500,01020,58330,0069, где 0 у 1. Эти составы находятся в интервале от состава той жидкой фазы (С 2)0,10(А 123)0,90, которая наряду с образованием первичных кристаллов состава (С 2)0,497(А 123)0,503 образуется при кристаллизации полупроводникового соединения 58 из расплава...

Номер патента: 10868

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Корзун Борис Васильевич, Фадеева Елена Александровна

МПК: C30B 29/10, C01B 19/00

Метки: cualte2, синтеза, полупроводникового, шихта, соединения

Текст:

...у 1. Заявляемая шихта для синтеза полупроводникового соединения 2 в отличие от известной шихты и прототипа содержит химические элементы в соотношении, соответствующем формуле 0.1900 - 0.0270.28600.0160.52400.011, где 0 у 1. Эти составы находятся в интервале от состава той жидкой фазы (С 2 Те)0.40(А 2 Те 3)0.60, которая наряду с образованием первичных кристаллов состава (С 2 Те)0.97(А 2 Те 3)0.03 образуется при кристаллизации...

Номер патента: 10533

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Фадеева Елена Александровна, Корзун Борис Васильевич

МПК: C30B 35/00

Метки: соединений, устройство, тройных, синтеза, полупроводниковых

Текст:

...стенками труб разного диаметра. Предлагаемое устройство является простым по исполнению и имеет ряд преимуществ. Во-первых, оно позволяет благодаря раздельному размещению металлических и легколетучих компонентов синтезировать вещество в контролируемых условиях, когда исключается вероятность взрыва ампулы вследствие большого давления паров летучих компонентов при высоких температурах. Во-вторых, оно позволяет улучшить однородность...