H01L 21/84 — на подложке из неполупроводникового материала, например диэлектрика
Способ изготовления многоуровневой системы микроэлектронных межсоединений на основе алюминия и его анодных оксидов
Номер патента: 17099
Опубликовано: 30.04.2013
Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Сокол Виталий Александрович, Шиманович Дмитрий Леонидович, Ярошевич Ирина Викторовна
МПК: H01L 49/02, H01L 21/64, H01L 21/84...
Метки: способ, микроэлектронных, межсоединений, основе, анодных, оксидов, изготовления, системы, многоуровневой, алюминия
Текст:
...второго уровня фиг. 11 - тонкий адгезионный слой пористого оксида 23 на открытых участках алюминия второго уровня фиг. 12 - четвертая фоторезистивная маска по рисунку контактных площадок, сформированная поверх адгезионного пористого оксида 23 на фиг. 11 сквозная межэлементная изоляция второго уровня из пористого оксида алюминия 23 3 17099 1 2013.04.30 фиг. 13 - ионное травление поверхности образца до удаления ранее дополнительно...