G01L 1/25 — с использованием излучения волн или элементарных частиц, например рентгеновского излучения, нейтронного излучения
Способ контроля остаточных напряжений в кремниевой структуре покрытие SiO2–основа Si
Номер патента: 17232
Опубликовано: 30.06.2013
Авторы: Зеленин Виктор Алексеевич, Ходарина Людмила Петровна
МПК: G01L 1/25, H01L 21/66
Метки: остаточных, кремниевой, контроля, покрытие sio2–основа si, способ, напряжений, структуре
Текст:
...тонкой оболочки. По условию минимума свободной энергии край отделенной полоски покрытия должен был бы принять форму волны с осью симметрии,лежащей в срединной плоскости покрытия. Однако поскольку прогиб полоски возможен только в одну сторону (вверх от основы), то свободный край полоски изгибается по некоторой, как правило несимметричной, волнообразной кривой, смещенной вверх от основы. Волнообразный изгиб свободного края покрытия...
Способ контроля механических напряжений в кремниевой структуре пленка SiO2–подложка Si
Номер патента: 10215
Опубликовано: 28.02.2008
Авторы: Пономарь Владимир Николаевич, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович
МПК: G01L 1/25, H01L 21/66
Метки: структуре, механических, пленка sio2–подложка si, контроля, кремниевой, способ, напряжений
Текст:
...плотность интерференционных линий вне зависимости от ориентации сторон сосредоточена в углах окна. В случае круглого окна в каждой его точке создаются равные условия формирования интерференционной картины, зависящие только от действительных значений напряжений в данном азимутальном направлении. Выбор радиального направления для определения относительного удлинения отделенной от подложки пленки обусловлен тем, что только это удлинение...